Toshiba afirma que su nueva memoria NAND QLC es tan duradera como la TLC

Escrito por Juan Diego de Usera
Discos Duros
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El fabricante Toshiba ha afirmado que su nueva memoria NAND QLC que tiene en desarrollo, va a ser tan duradera como la actual memoria NAND TLC. Al menos en lo que se refiere a los ciclos de lectura y escritura. Esto van a ser grandes noticias para todos, dado que significará un abaratamiento de la relación del precio por Gigabyte.

Hace ahora una semana, os estuve contando las primeras noticias que habían salido a la luz sobre la nueva memoria NAND QLC. Que está desarrollando Toshiba en estos momentos. Para refrescaros un poco la memoria, os recuerdo que este tipo de memoria NAND Flash se caracteriza por ser capaz de introducir un nuevo bit dentro de la célula de memoria. Esto significa qjue la nueva memoria es capaz de almacenar más datos. Para una misma superficie física del chip de memoria. Por consiguiente, aumenta la densidad de datos y, por tanto, se ve reducido el coste de almacenamiento por GB producido.

El problema podría acabar radicando en los voltajes para los chips

Sin embargo, cada aumento en el número de niveles en las celulas plantea preocupaciones. No sólo en el rendimiento, sino especialmente, en la durabilidad. Ya que un mayor número de estados por celda incrementa los pasos de voltaje que se le aplican (SLC NAND emplea solo dos estados de voltaje, MLC con cuatro , TLC con ocho estados de voltaje y QLC controlará 16 de éstos). Esto tiende a hacer más frecuentes los errores. Y la longevidad de la célula se ve comprometida debido a la cantidad de variación en sus estados. Lo que significa que técnicas de corrección de errores más potentes deben ser empleadas.

Según Toshiba, su memoria NAND 3D QLC espera que aguante alrededor de los 1000 ciclos de programado / borrado, que está cerca de TLC NAND flash. Esto es considerablemente más alto que la cantidad de ciclos P / E (100 – 150) esperados para QLC por la industria. Lo que significa que la compañía ha logrado lo que muchos pensaban difícil.

Toshiba ha comenzado el muestreo de sus dispositivos de memoria 3D NAND QLC a principios de este mes. Todo apunta a que comenzará la producción en masa a finales de 2018 o principios de 2019. Lo que significa que todavía tenemos un largo camino por recorrer hasta que veamos esta tecnología implementada.

Espero que de esta manera se pueda solucionar un poco la crisis de falta de chips. En la que lleva inmersa este mercado desde hace ya algún tiempo.

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