Toshiba desarrolla la memoria NAND con 4 bits por celda QLC

Escrito por Juan Diego de Usera
Memorias RAM
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Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) ha anunciado hoy la última generación de su memoria NAND flash 3D BiCS. El nuevo dispositivo FLASH de BiCS cuenta con tecnología de celdas de cuatro niveles de celdas (QLC) de 4 bits por celda. Y es, por consiguiente, el primer dispositivo de memoria flash 3D que lo hace empleando esta nueva tecnología.

La tecnología QLC de Toshiba permite una capacidad de matrices más grande (768 Gigabits) que la celda de tres niveles de tercera generación y tres niveles (TLC) de 512Gb de la compañía. Con éste desarrollo, Toshiba empuja hacia delante los límites de la tecnología de memoria flash.

El nuevo dispositivo QLC BiCS FLASH de Toshiba cuenta con una estructura de celdas apiladas de 64 capas y alcanza la capacidad de die más grande del mundo (768Gb / 96GB). La memoria flash QLC también permite la fabricación de dispositivos de 1,5 Terabytes con una arquitectura apilada de 16 dies en un solo paquete. Convirtiéndolos en los dispositivos con la mayor capacidad de la industria. Se trata de un aumento del cincuenta por ciento en la capacidad por paquete. Respecto al anuncio anterior de Toshiba de un dispositivo de 1 TB con una arquitectura apilada de 16 dies en un solo paquete. El cual también ofrecía la mayor capacidad en la industria en ese momento.

Toshiba ha tenido que superar varios desafíos técnicos para el desarrollo de su nueva memoria NAND

Los desafíos técnicos planteados por la tecnología QLC debían ser superados antes de comenzar la fabricación. Ya que al aumentar el número de bits por celda por uno más, el recuento de electrones requiere el doble de precisión de la tecnología TLC. Toshiba ha combinado su diseño de circuitos avanzados y la tecnología líder de procesamiento de memoria flash 3D. Logrando de esta manera superar este desafío, creando con éxito la primera memoria flash QLC 3D del mundo.

Toshiba Memory Corporation fue uno de los primeros en producir dispositivos de 64 capas de 256 Gigabits. Y ha continuado demostrando su posición de liderazgo al avanzar en el desarrollo de su tecnología. Toshiba fue la primera compañía en discutir públicamente la tecnología de QLC (en la Cumbre de Memoria Flash del año pasado). Y ha sido parte de la estrategia de la empresa para soluciones de memoria flash de alta densidad y menor tamaño de chip. El nuevo dispositivo QLC está dirigido a aplicaciones que incluyen SSDs, tabletas y tarjetas de memoria para empresas y consumidores.

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