Las memorias 3D NAND van a ganar en capacidad de almacenamiento gracias a que Micron ha conseguido fabricar en masa chips de este tipo compuestos por 176 capas. La mayor cantidad hasta ahora, lo cual va a afectar todo tipo de dispositivos que utilicen los chips de memoria 3D NAND Flash para el almacenamiento en el futuro.
Si hemos de hablar de dos aplicaciones comerciales de la tecnología de interconexión TSV, a través de vías de silicio, las más claras son por un lado la memoria de almacenamiento 3D NAND y por el otro lado la memoria RAM HBM. Mientras que la primera se ha convertido en un estándar de facto y goza de una enorme implementación en la industria, la segunda no ha tenido tanto éxito como la primera, ya que no se ha convertido en un estándar en el mercado de masas, mientras que la 3D NAND sí que lo ha hecho.
Especificaciones de la 3D NAND de 176 capas de Micron
Micron ha dado la siguiente información de su memoria 3D NAND de 176 capas:
- En comparación con un chip 3D NAND de 96 capas, el nuevo chip de memoria 3D NAND de Micron mejora los tiempos de lectura y escritura en un 35% aproximadamente. En cambio, en comparación con un chip 3D NAND de 128 capas la mejora está por encima del 25% en cuanto a la latencia de lectura y escritura.
- Micron ha utilizado lo que ellos llaman la arquitectura Replacement-Gate, la cual les permite recortar el tamaño del chip en un 30%. Esto es ideal para sistemas en los que cada mm2 del espacio disponible es importante.
- Su velocidad de transferencia es de 1600 MT/s utilizando la interfaz ONFI, Open NAND Flash Interface.
Por el momento desconocemos el tipo de célula de memoria flash con la que lo han conseguido llegar a las 176 capas, por lo que no sabemos si estamos hablando de una memoria 3D NAND del tipo SLC, MLC, TLC o QLC aún. Tampoco sabemos la capacidad de almacenamiento con la que van a llegar con estos chips de memoria. Esto significa que no vamos a ver esta tecnología en nuestros discos SSD o cualquier otro dispositivo que utilice este clase de almacenamiento a corto plazo.
Teniendo en cuenta que los chips 3D NAND tienen una capacidad de 1 TB actualmente, es posible que veamos gracias a la nueva tecnología de Micron capacidades de 2 TB por chip. En todo caso, los dispositivos que hacen uso de este tipo de memorias suelen tardar un año como mínimo a salir al mercado, por lo que si estáis esperando un dispositivo con esa capacidad de almacenamiento esperad a finales de 2021 o en pleno 2022 para verlos.
¿Qué es la 3D NAND?
La 3D NAND nació del hecho que se llegó a un punto en que la memoria NAND flash no se podía escalar más utilizando en un chip monolítico de dos dimensiones. Es por ello que los fabricantes de memorias NAND Flash decidieron escalar en una tercera dimensión, apilando chips de memoria NAND uno encima del otro haciendo uso de la tecnología de interconexión vertical TSV, Through Silicon Vias, la misma que se utiliza para la memoria HBM.
Esto les permite agrupar en el espacio de un solo chip lo que hace unos años solo era posible colocar en varios y ha permitido que la memoria NAND Flash pueda seguir escalando hacía arriba en cuanto a capacidad de almacenamiento. Esto ha ayudado que poco a poco los dispositivos que utilizan este tipo de memoria se hayan visto beneficiados, además ha permitido que dispositivos como las consolas de videojuegos abandonen los discos mecánicos.
