Todos están a la cola de TSMC, el gigante taiwanés está «onfire» y como tal marca el ritmo en la era actual donde el proceso litográfico está siendo clave para que sus clientes se impongan a la competencia o peleen por el trono de los semiconductores. Pero TSMC ha dado un giro de guion, ya que en 2023 sufrirá un parón frente a lo que se esperaba en el sector y como tal no entrarán con los 2 nm, sino que lanzarán sus nuevos 3 nm Plus, ¿parón en GAA?
Pongamos en situación y contexto el roadmap litográfico general de las tres grandes: Intel, Samsung y TSMC, ya que como bien sabemos, las dos primeras están centrados completamente en GAA y aunque van por detrás en densidad para alto rendimiento, pretenden adelantar a la competencia gracias a estos nuevos transistores.
TSMC 3 nm Plus, ¿una excusa para ganar tiempo para GAA?
El rodillo de TSMC no va a parar de girar y si a día de hoy tienen cierta ventaja la teoría nos dice que con el pie en el acelerador nadie les va a poder seguir, puesto que Intel está retrasando sus 7 nm y Samsung parece tener problemas con EUV con GAA.
Los 5 nm ya son una realidad y en 2021 los veremos sin duda en AMD y Apple, donde se estipula una actualización menor de este proceso conocida como 5 nm +. El problema que van a enfrentar tanto estos nodos como los nuevos 3 nm es que siguen introduciendo transistores FinFET, mientras tanto Intel y Samsung deberían tener en 2022 ya GAA en proceso sino disponibles antes de final de ese mismo año.
¿Cuál será el problema entonces? Pues que, aunque en nomenclatura y marketing Intel y Samsung vayan por detrás de TSMC, en densidad deberían dar un salto de transistores por milímetro cuadrado importante, además con menor voltaje y más eficiencia, algo así como los 7 nm+ de TSMC vs los 10 nm de Intel, pero con mayor GAP.
Los 5 nm no son el verdadero salto litográfico de TSMC
No es la primera vez que hablamos sobre los 5 nm y de cómo muchos en la industria dudan sobre su rentabilidad y rendimiento frente a los 7 nm. Por ello siempre se ha dicho que serán los 3 nm el sucesor real de estos, ya que según la compañía hablaríamos de una mejora del rendimiento del 15%, una reducción del consumo un 30% y un aumento espectacular de la densidad de transistores del 70%.
Para que nos hagamos una idea clara de lo que esto significa, es lo mismo que coger el die de cualquier Pentium 4 y compararlo con el tamaño de una aguja si comparásemos los 7 nm actuales con los 3 nm de TSMC.
Por ello, sorprende que ahora tras anunciar los 3 nm Plus o 3 nm + no hayan indicado nada acerca de él sabiendo que es una mejora del mismo. Por ello los rumores de problemas o retrasos con GAA, ya que para nada estaba programado esto como tal, y es que TSMC considera que en términos de costos y eficiencia energética sus 3 nm seguirán siendo los más competitivos, pero si Intel o Samsung logran GAA para ese momento en alto rendimiento la tortilla puede darse la vuelta y ser entonces de ser el cazador al cazado.
Veremos cómo discurre todo, sobre todo por la parte de Samsung, ya que Intel retrasa sus 7 nm y posiblemente GAA no llegue en ese 2023, pero los coreanos que están casi a la par de TSMC ya han anunciado problemas. ¿Es posible que TSMC los sufra cuando decida invertir en I+D para esta nueva forma de crear transistores? ¿sufrirán retrasos por ello?