Las novedades en el mundo de hardware pueden representar grandes cambios para la industria, hemos visto como muchas compañías han propuesto diversas tecnologías que permiten mejorar los componentes de PC, en este caso, Samsung nos presenta su nueva propuesta relacionada con la RAM. La marca surcoreana planearía crear una revolución con respecto a este componente utilizando nuevos chips que permitirían un mayor rendimiento junto con una capacidad superior.
Los avances tecnológicos que suponen la mejora en los componentes de un ordenador representan una gran parte de las inversiones de muchas de las compañías más grandes del mundo, tal como ha hecho NVIDIA con sus chips orientados para la IA, muchas otras marcas están comenzando a desarrollar productos para su especialidad. En el caso de Samsung, como bien sabemos una de sus especialidades es el almacenamiento, pero no han dejado de lado otros componentes, presentando una de las mejoras más grandes con respecto a la memoria RAM de los últimos años.
El futuro de las memorias RAM
De primeras en la presentación, Samsung ha indicado que este proyecto se llevará a cabo durante los próximos diez años, pero que el comienzo será inminente, ya que tendrá lugar a partir del año que viene, con una propuesta de mejorar su producción hasta llegar al año 2035. Durante esta década, la compañía surcoreana tendrá planteado desarrollar módulos de memoria RAM que incorporarán chips 3D, lo que se traduce, según ellos, en una mejora extremadamente grande en términos de capacidad y velocidad con respecto a las memorias que podemos encontrar actualmente en el mercado.
Según han indicado en la presentación, la compañía comenzaría en 2025 a desarrollar los nuevos chips que se encontrarían por debajo de los 10 nm, un proceso tecnológico que cambiará la percepción de memoria RAM que tenemos actualmente. Y es que estos nuevos módulos de memoria incorporarían lo que la marca denomina como 3D DRAM, ofreciendo a su vez dos nuevos métodos de para crear este tipo de memorias dependiendo de la colocación de sus componentes, Vertical Channel Transistors (Transistores de Canal Vertical) y Stacked DRAM (DRAM Apilada) son los nombres por los que han optado para nombrar a estas tecnologías que reducen la ocupación del área del dispositivo, garantizando a su vez un mayor rendimiento.
Hasta dónde llegarán estos nuevos módulos
De primeras no hay demasiada información con respecto a estas nuevas tecnologías que tiene pensado introducir Samsung, pero si que podemos conocer ciertos puntos de desarrollo que tiene pensado llevar a cabo la compañía. Y es que una de las mejoras que buscan llevar a cabo desde la marca surcoreana es poder romper la barrera que tienen actualmente las memorias RAM, es decir, ofrecer una mayor capacidad junto con una velocidad extremadamente alta.
De primeras la primera meta que han marcado es conseguir módulos que puedan llegar a superar los 100 GB de almacenamiento, mediante el concepto de DRAM Apilada que hemos comentado anteriormente que permite lograr una mayor relación en cuanto almacenamiento y al espacio físico que ocupa. De esta forma, se espera que tras el comienzo del desarrollo de estas nuevas memorias RAM, la industria relacionada con este tipo de componentes crezca en gran medida.