Intel ha realizado su evento dedicado a la memoria NAND Flash de alto rendimiento: el Intel Memory Day, donde los de Santa Clara mostraron los avances que van a realizar en este campo de cara a los próximos años. Lo más destacable, sin duda, fueron las exposiciones que realizaron sobre sus nuevas tecnologías para las capas NAND Flash y cómo piensan aumentar la densidad de sus celdas.
Intel Memory Day: 144 capas en QLC para el año que viene
El anuncio en sí mismo es impactante, sobre todo si miramos lo que están desarrollando las demás compañías. Actualmente, los esfuerzos de estas se concentran en producir en alto volumen las nuevas 96 capas QLC e inundar el mercado con productos basados en ellas.
Mientras, trabajan de forma ininterrumpida por conseguir el objetivo de las 128 capas (en algunos casos) mientras que implementan las técnicas de producción como está desarrollando SK Hynix desde hace unos meses.
Intel por su parte y en dicha presentación, centró su discurso en objetivos similares: las 144 capas en QLC.
La hoja de ruta de la compañía revela que los de Swan están actualmente haciendo la transición para migrar todos sus productos SSD a 96 capas mediante QLC, pero en 2020 tendrá que repetir dicha operación.
Y es que para el año que viene tendrán listas sus 144 capas para la tecnología QLC, o lo que ellos llaman Gen 4.
Para conseguir esto, Intel ha desarrollado lo que se conoce como Floating Gate Cell, un nuevo diseño de celda de la compañía que, según expusieron, logra realizar un mejor trabajo al retener los datos de forma más segura y durante más tiempo.
Las pruebas a las que sometieron su FGC fueron bastante concluyentes, donde según muestra la compañía, su tecnología podría aguantar casi 3 veces mejor los datos al cabo de un año y medio a 43 grados como temperatura media.
Intel no se detiene aquí, ya que como es lógico, trabaja muy duro para ofrecer con la menor brevedad posible sus nuevas celdas de 5 bits.
Intel PLC: hasta 32 estados de carga al mismo tiempo
Como ya sabemos, uno de los problemas para aumentar la densidad de bits por celda son los estados de carga que éstas tienen que soportar.
Intel actualmente está desarrollando y perfeccionando su tecnología de 5 bits/celda o PLC, las cuales según informa ofrecerán hasta 32 estados de carga distintos, lo cual es el doble frente a los 4 bits e ilustra de la complejidad del salto tecnológico, pero sobre todo, logrará hacerlo implementando en ellas FGC.
Esto permitirá a la compañía ofrecer SSD de mayor capacidad y en teoría, mayor rendimiento, de cara a los centros de datos de todo el mundo y que llegarán con los nuevos Intel Xeon de próxima generación ya en 2020.
La compañía afirmó que la plataforma que englobe todo esto se determina como Arbordale+, y llevará como máximo exponente los 5 bits por celda junto con las 144 capas.
Por lo que podríamos estar ante una clara amenaza del fabricante para el resto de compañías que fabrican SSD de alto rendimiento, ya que la carrera por la densidad está en su punto álgido y de momento Intel tendría la delantera.
Como es lógico, los de Swan se centrarán en promocionar su tecnología Optane, donde lanzará hasta 512 GB por módulo con 2666 MT/s, configuraciones de hasta 3 TB por CPU y hasta 6 TB por WORKSTATION.