En la actualidad la mayor guerra que existe detrás de la cortina no es la de Intel frente a NVIDIA y AMD, sino la existente entre las tres grandes fundiciones o fabricantes de chips que en la actualidad son Intel, TSMC y Samsung. ¿La próxima frontera? El uso de transistores GAAFET que reemplazaran a los actuales FinFET. ¿Cuál es la situación del nodo 3GAE de Samsung en la actualidad?
Si miramos al horizonte podemos ver los nodos llamados 5 nm que tanto Intel como TSMC ya están fabricando o están a punto de fabricar sus productos, pero si miramos más allá en el futuro, es en este momento donde se encuentran realizando acuerdos para los nodos de 3 nm que será donde veremos por primera vez el uso de transistores GAAFET o Gate All Around. Tanto Samsung, Intel como TSMC están buscando potenciales clientes para sus futuros nodos y por lo visto la fundición surcoreana está teniendo problemas para su proceso litográfico de 3 nm. ¿Qué es lo que está ocurriendo?
Los problemas de Samsung para llegar a tiempo: efectos adversos en los 3 nm
El nodo de 3 nm de Samsung recibió en 2019 el nombre 3GAE y se anunció en ese mismo año que Samsung hará uso de los transistores MBCFET, los cuales se basan en una variación de los transistores FinFET donde según la fundición surcoreana da como resultado una mejora de rendimiento del 35% en rendimiento o 50% en reducción de consumo y un recorte del 45% en densidad respecto a su propio nodo de 7 nm.
Samsung prometió en dicho evento que los primeros diseños estarían listos para 2020 con la producción de riesgo empezando a finales de 2020 y en grandes cantidades para el presente año. ¿La realidad? Hasta el momento Samsung no ha conseguido terminar su proceso 3GAE, por lo que no se ha empezado la producción en riesgo, y mucho menos y como es obvio, tampoco la producción en masa. Además Samsung ha tenido que recortar sus promesas de rendimiento de su nodo de 3 nm realizadas en 2019, ya que el aumento de rendimiento ha bajado del 35% al 10%, la reducción de consumo del 50% al 20% y el recorte de densidad del 45% al 25%.
El nodo 3GAE llegará tarde, ¿seguirá siendo competitivo?
Pero, ¿y qué ocurre con la fecha de lanzamiento? Aquí es donde tenemos que hablar de las declaraciones recientes del vicepresidente de ingeniería de Samsung, el Dr. Chidi Chidambaram, quien está el frente del desarrollo de los nuevos procesos de fabricación en las fundiciones de Samsung. Pues bien, en un evento organizado por Appled Materials el Dr. Chidambaram dejo caer lo siguiente:
Ya sabéis que estamos hablando de (empezar a producir) en el 2023 o 2024. Lo más pronto en 2023, pero el 2024 también es razonable.
Por lo que el nodo de 3 nm de Samsung no estaría listo hasta 2023 (seguramente finales), lo cual significa en cuanto a mercado que hasta la segunda mitad de ese mismo año o ya en 2024 no veremos los primeros procesadores bajo dicho nodo, incluso pueden irse las cosas a 2025. Una fecha demasiado tardía en comparación a la velocidad de crucero que han cogido sus máximas rivales en la actualidad que son TSMC e Intel, los cuales tendrán listos sus nodos equivalentes mucho antes.
Actualmente Samsung es el mayor fabricante de memorias del mundo, y estas no suelen utilizar los nodos tan avanzados que utilizan los procesadores para su fabricación. En todo caso es significativo que tras haber conseguido a NVIDIA para su nodo de 8 nm la hayan perdido de cara a futuros nodos de la compañía. Y es que perder al mayor fabricante de tarjetas gráficas de la industria y uno de los pesos pesados debería ser suficiente para encender todas las alarmas en Samsung.
