Samsung aumenta la capacidad de los chips de memoria 3D-TSV hasta los 24 GB
El que Samsung sea una de las compañías tecnológicas más grandes del mundo no es un secreto, igual que tampoco es un secreto que es una de las compañías que más capital invierten en investigación y desarrollo. Esto les permite ser pioneros en el desarrollo de muchas nuevas tecnologías como el caso que hoy nos atañe, pues la compañía acaba de anunciar que han completado el desarrollo de chips de memoria 3D-TSV de 12 capas, los primeros de la industria, que permitirán entre otras cosas la fabricación de chips de memoria HBM de hasta 24 GB de capacidad.
A medida que se reduce el tamaño de los chips, se hace más complicado el introducir más transistores en los mismos para mejorar su rendimiento y eficiencia. La manera de hacerlo en los últimos tiempos es crecer hacia arriba, es decir, manteniendo el mismo área se añaden más capas interconectadas entre sí. Ahora Samsung ha anunciado que ha logrado crear chips 3D-TSV con 12 capas interconectadas a través de 60.000 agujeros TSV, cada capa con el grosor de tan solo 1/20 el grosor de un cabello.
Así, el grosor de todo el conjunto es de tan solo 720 μm, exactamente el mismo valor que tienen los actuales chips de memoria HBM2 que tienen 8 capas. En otras palabras, han logrado añadir cuatro capas más al conjunto manteniendo el mismo grosor, lo que supone un enorme avance tecnológico.
Esto significa que ahora hay a disposición de los fabricantes cuatro capas más, que serán utilizadas para crear chips de mayor capacidad sin tener que cambiar el diseño interno. De igual manera, el apilamiento de capas 3D también ayuda a reducir el tiempo de transmisión de datos, por lo que además de ganar en densidad se gana en rendimiento y, por supuesto, en eficiencia.
Según Samsung, los chips de memoria 3D-TSV de 12 capas están próximos a ser fabricados en masa, y la capacidad de cada uno de estos chips será de 24 GB frente a los 8 GB actuales.
Los chips de memoria 3D-TSV, ¿cómo afectarán a la industria del PC?
Está claro que cualquier avance tecnológico en el desarrollo de chips de memoria afectará a la industria del PC antes o después, pues son muchísimos los productos que hacen uso de cualquier tipo de chip de almacenamiento: desde memorias RAM hasta la memoria de las tarjetas gráficas, pasando claro está por los SSD.
Tal y como hemos puesto en el ejemplo, este nuevo desarrollo de Samsung para los chips 3D-TSV que ahora tienen 12 capas podría significar un incremento de la cantidad de memoria que equipan las tarjetas gráficas que hagan uso de memoria HBM2, por ejemplo, y eso sin tener que ampliar el tamaño del PCB que da cabida a dichos chips, reduciendo así de igual manera el espacio que ocupa el sistema de refrigeración de los mismos.
Por supuesto, aunque aquí estemos hablando de la memoria gráfica de las tarjetas gráficas o, digamos, de la memoria en general, podría extrapolarse a otros ámbitos como el de los procesadores, por ejemplo. El hecho de que la tecnología 3D-TSV se esté utilizando en el almacenamiento a día de hoy es un inicio para poder usarlo en otros paradigmas; ¿os imagináis un procesador con transistores dispuestos en varias capas? Los desarrolladores ya lo han hecho, si bien es cierto que por el momento no es viable por temas de refrigeración, pero siguiendo este camino no se descarta el uso de esta tecnología en el futuro también en CPUs y GPUs.
