Intel afirma que ya tiene lista la producción de chips con EUV: ¿lo usarán en los 10 nm?
Intel va con retraso en sus procesos litográficos, hemos hablado largo y tendido sobre ello durante casi dos años, donde sus roadmap se han tenido que modificar en hasta 2 ocasiones. Sus 10 nm llevan en el mercado de bajo consumo un tiempo y se espera que lleguen al alto rendimiento antes de finalizar el año, pero ¿ y si llegasen con EUV antes que TSMC lance sus 7 nm+?
Intel sorprende a todos: EUV está lista para su introducción
Los continuos retrasos, las eternas promesas y sobre todo la ausencia tangible de procesadores en el mercado han mermado durante mucho tiempo la confianza tanto de los usuarios como de los inversores de menor tamaño. Pero en cambio, y a pesar de que los competidores han pasado como un rayo por la izquierda al gigante azul, sus acciones se han mantenido a un ritmo irregular por otros derroteros del mercado, donde curiosamente la confianza de sus inversores de mayor tamaño no ha disminuido.
Evidentemente, algo no cuadra en todo esto y hoy sabemos qué está pasando de la mano de la propia Intel: la litografía ultravioleta extrema o EUV está lista para su introducción y en volumen para el desarrollo de esta tecnología, según ha comentado la directora del programa EUV de la propia Intel. Aun así, Intel tiene que trabajar todavía en un aspecto fundamental: el gran volumen de fabricación.
Britt Turkot, directora de EUV en Intel, dijo que los sistemas del tamaño de una habitación de los que disponen se ejecutan en la fábrica de Portland, en Oregón, donde no especificó si su compañía lo implementará en los productos de 10 nm o si pasarán directamente a 7 nm. Las anteriores declaraciones realizadas hace meses hacían presagiar que llegarían a finales de 2020 o principios de 2021 como muy pronto y en su nodo de 7 nm, pero el claro paso adelante de Intel nos hace especular con una posible inclusión más temprana.
Samsung y TSMC: EUV «híbrida» con patrones todavía por inmersión
No es oro todo lo que reluce, pero si algo tiene claro Intel es que quiere abandonar los patrones por inmersión tradicionales. Su noticia sobre EUV Extrema deja claro que avanzan a un ritmo no esperado y sobre todo en la implementación de alto rendimiento, donde TSMC y Samsung están centradas en sus 7 nm+ con EUV para AMD y NVIDIA.
Los adelantos de TSMC con EUV se limitan a su nodo de 7 nm+ y sólo cuatro capas metálicas, lo que significa que todavía tienen que usar patrones dobles mediante inmersión para las capas restantes. Samsung por su parte está centrada en ofrecer un nodo de 7 nm EUV que sea lo más rentable posible.
Esto significa que en algún punto deberán usar máscaras MLM, lo que implicaría un proceso mixto entre EUV e inmersión, aunque no está claro exactamente como se implementará.
Intel por su parte no ha declarado cuantas capas metálicas usará con EUV, debido principalmente a que una exposición de EUV puede reducir el recuento de máscaras para una capa en proporciones de hasta 5:1. En cualquier caso, el número según sus intenciones debe ser mínimo, lo que mejoraría la capacidad del proceso y lograría un mayor rendimiento por oblea y chip, a costa claro de un mayor precio.