MESO: así quiere sustituir Intel los transistores tradicionales de nuestras CPU

En informática, los términos velocidad, coste y eficiencia son siempre cuestionados. La fabricación de microprocesadores es siempre tema de debate entre ingenieros y medio mundo, donde una mejora puede decantar la balanza del negocio. El gigante azul pretende adelantarse al futuro en estos términos con la creación y desarrollo de Intel MESO, pero ¿qué es exactamente?

Intel MESO (dispositivo lógico de órbita de giro magnetoeléctrico)

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En un principio puede resultarnos complicado entender el concepto de estos nuevos dispositivos, pero lo cierto es que ni es tan complicado ni requiere de tantos conocimientos como su acrónimo atesora.

Intel MESO es simplemente un dispositivo construido con materiales cuánticos a temperatura ambiente, según informó Sasikanth Manipatruni, científico de alto nivel y director del Centro de Ciencia y Tecnología de Intel sobre Integración y Fabricación de Electrónica Funcional.

Manipatruni explicó que MESO es un ejemplo de lo que es posible en cuanto a desarrollo y, con suerte, desencadenará una innovación en la industria, el mundo académico y los laboratorios de todo el mundo. Aunque eso sí, todavía tienen que desarrollar una serie de materiales y técnicas críticas para permitir estos nuevos dispositivos y arquitecturas de computación.

Pero, ¿por qué es tan importante?

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Teniendo en cuenta las necesidades futuras, los requisitos de memoria, interconexión y lógica sobre los posibles avances en otros campos, era evidente que se tenía que dar un paso más allá en sectores clave como CMOS. Así nació Intel MESO, ya que fue prototipado por Intel utilizando en ello materiales cuánticos con comportamientos cuánticos emergentes y sobre todo a temperatura ambiente.

Para ello se usaron materiales magnetoeléctricos desarrollados por Ramamoorthy Ramesh dentro de la Universidad de Berkeley y el laboratorio nacional Lawrence Berkeley.

Dichos materiales son a su vez un material de hierro múltiple que consiste en Bismuto, Hierro y Oxígeno (BiFeO3). Este material es ferromagnético y ferroeléctrico, acoplándose los dos estados al mismo tiempo. Si cambia uno puede afectar a otro, por ejemplo, si se opera el campo eléctrico puede cambiar el campo magnético y viceversa, por ello es el escenario perfecto para desarrollar esta nueva tecnología.

Intel MESO: menos energía para un mayor rendimiento

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Gracias a estos materiales, MESO tiene el potencial de reducir el voltaje en 5 veces y la energía en 10 a 30 veces cuando se combinan con una potencia de estado de sueño ultra bajo si lo comparamos con las tecnologías actuales CMOS.

Esto permite que el consumo se reduzca y permita que el rendimiento crezca en diversas arquitecturas de computación. Así, Intel espera tener lista esta tecnología en la próxima década, donde el rendimiento podría incrementarse exponencialmente si MESO se depura y consigue innovar dentro de su campo.

Tanto es así, que un dispositivo MESO puede reducir de 3V a 500 mv la tensión de computación de un dispositivo, siendo posible en su propio desarrollo llegar a solo 100 mv, lo cual sería una disminución de una proporción 1/10 y 1/30 respectivamente.

Esta sustancial mejora y según Intel, permitiría a los dispositivos MESO ser cinco veces más rápidos que los dispositivos CMOS actuales, por lo que podemos estar viviendo en estos momentos el prólogo a un salto cualitativo en el rendimiento y eficiencia como no se ha visto en décadas.