TSMC ha dado un paso más para acercarse al final de la Ley de Moore, la compañía ha decidido construir una nueva fábrica que se encargue de fabricar obleas de silicio con el proceso de 3 nm. Para esto la compañía ha realizado una gran inversión monetaria y espera tener el proceso listo en 4 años.
TSMC quiere ser el primero en toparse con la Ley de Moore
Ya ha salido al mercado el primer producto fabricado por TSMC en el proceso de 7 nm y es un ASIC para minado de criptomonedas, mercado que actualmente está en su peor crisis. No obstante, tras alcanzar con éxito el proceso de 7 nm, la empresa ha decidido empezar a diversificar y para ello ha invertido 25.000 millones de dólares en el desarrollo del proceso de 5 nm, se espera que este proceso acabe su desarrollo en el año 2019 y empiece a ser producido en masa en el año 2020.
La compañía no se ha quedado ahí y ha decidido adelantarse a los tiempos, para ello ha seguido indagando en la Ley de Moore y ha decidido crear una planta de fabricación en el proceso de 3 nm. La compañía planea invertir 19400 millones de dólares en ella. Por el momento la fábrica encargada de hacer obleas con el proceso de 3 nm ya ha obtenido el visto bueno de la EIA y tiene una superficie de 28 hectáreas.
Ha invertido mucho dinero en los procesos de 5 y 3 nm
La nueva fábrica está situada cerca de la fábrica de 5 nm de TSMC, han planteado que la finalización de la obra con el equipamiento instalado sea en 2021, pero que no empezará a funcionar hasta 2022. Momento en el que TSMC espera tener listo su nuevo proceso de producción.
La empresa no ha abandonado su proceso de 7 nm, que pretende seguir mejorándolo. Este ya tiene un rendimiento un 35% mejor que el proceso de 16 nm, así como una mayor densidad de transistores (3 veces mayor). Las empresas que utilizarán este proceso son Apple, Huawei, AMD y NVIDIA.
El proceso de 5 nm promete aún más, ya que supondrá una mejor del consumo del 20% frente al de 7 nm (que ya suponía una mejora del 65% frente al de 16 nm). Además, la densidad de transistores aumentará 1,8 veces junto a una mejora del rendimiento del 15%.
Actualmente sólo han hecho públicos sus planes de llegar a los 3 nm Samsung y TSMC, por lo que puede que consigan dominar este mercado cuando llegue el momento.