La tecnología RRAM permitirá integrar 1 TB de memoria en smartphones
No os dejéis engañar por el nombre de esta tecnología puesto que no se refiere a la memoria RAM de los dispositivos, sino al almacenamiento interno. Hasta ahora, los smartphones y tablets actuales han encontrado su límite en los 64 GB de memoria de almacenamiento, mientras que lo habitual es tener 8 ó 16 GB por su relación prestaciones / precio. No obstante, la nueva tecnología RRAM ha hecho su aparición y podría cambiar drásticamente este dato puesto que hará posible disponer, a corto plazo, de dispositivos con 1 TB de memoria interna en un chip del tamaño de un sello.
Tal y como apuntan en Movilzona, y es verdad, los avances tecnológicos en lo referente a smartphones y tablets han tenido su auge durante estos últimos años. No hay mas que ver los primeros móviles que teníamos hace tan solo 10 años y los smartphones de hoy en día. Por ejemplo, comparad las resoluciones ínfimas de las pantallas de los primeros teléfonos con las de hoy en día, que llegan a 2560 x 1440 píxeles en pantallas de 5 pulgadas. O por ejemplo las cámaras de fotos integradas en smartphones, capaces hoy de sacar fotos de calidad casi profesional. Por no hablar de los procesadores, ya que actualmente es habitual ver chips con 8 núcleos que funcionan a más de 2.5 Ghz. Pero la memoria interna es algo que no ha experimentado un avance tan significativo, hasta ahora…
Este hecho está a punto de cambiar, ya que gracias a la investigación realizada por científicos de la universidad de Rise, en Texas, podremos tener una capacidad de almacenamiento 50 veces superior a la actual en chips con el tamaño de un sello.
Tecnología RRAM, ¿qué es y cómo funciona?
Esta tecnología, llamada RRAM, tiene en el chip una estructura de óxido de silicio con metales como el oro o la plata, logrando un conjunto con una densidad mucho mayor, de más capacidad, más eficiente y más rápido que los actuales chips de memoria NAND Flash utilizados en smartphones y tablets. Esto lo consiguen aprovechando las propiedades dieléctricas del silicio, con un campo eléctrico generado por dos bornes metálicos que aprovechan los «cráteres» que tiene el óxido de silicio como pasarela para las corrientes eléctricas. Este paso de corriente se convierte en un sistema binario, de ceros y unos.
Vais a verlo claro en el siguiente esquema (Nota: para los que no entendáis de símbolos químicos, Si es silicio, SiO2 es óxido de silicio, Pt es plata, Au es oro):
Más capacidad y mejor rendimiento
Esta memoria es también más eficiente y tiene mejor rendimiento, dado que para generar este sistema binario que os hemos explicado arriba se necesitan corrientes muy pequeñas, de unos 2 voltios, por lo que el consumo y por tanto la eficiencia es mayor que en las memorias actuales. Además, esto proporciona unas velocidades de escritura y lectura muy superiores a lo que estamos acostumbrados.
Además, como ya os hemos comentado esta memoria RRAM permitirá tener chips de hasta 1 TB de capacidad (1024 GB) ya que tiene una mayor densidad gracias a que se pueden almacenar hasta 9 bits por célula de memoria. Esto significa que es 50 veces más densa que la memoria NAND Flash actual, pudiendo almacenar hasta 1 TB de información en un chip de reducidas dimensiones.
También es más económica
Aunque estemos hablando de elementos «raros» y caros como el silicio, la plata y el oro, la cantidad de estos es bastante pequeña, y aunque parezca mentira, es más económico fabricar estos chips que la memoria NAND Flash actual (precio relativo, claro, al coste por GB de memoria). Esto aunado a que el proceso de fabricación de estos chips no requiere de una cadena de producción sofisticada, hace que su producción sea bastante económica también.
Varios fabricantes ya se han interesado en esta investigación, por lo que no sería de extrañar que de aquí a un par de años veamos los primeros smartphones con 1 TB de almacenamiento interno.
