Llevamos meses dando por sentado de que NVIDIA llegó en su momento a un acuerdo de mutuo beneficio con Samsung para fabricar sus tarjetas gráficas Ampere dentro de la gama gaming. Poco después se descubrió que el nodo de fabricación sería el proceso de 8 nm LPP, con el cual no podrían hacer frente a TSMC, pero hoy nos levantamos con otro sobresalto: las especificaciones filtradas aseguran que las GPU de gama alta llegarán a 7 nm. ¿Qué está ocurriendo?
Contra todo pronóstico, NVIDIA competirá contra AMD en un terreno que en principio parecía tener perdido y que curiosamente, ha dejado a todo el mundo sorprendido y los ha cogido a pie cambiado. No será a 8 nm, sino a 7 nm como Navi y BIG Navi con lo que NVIDIA competirá contra AMD, ¿acaso no llegarán con Samsung?
TSMC o Samsung, ¿quién fabrica realmente los chips Ampere?
Es una gran pregunta a poco más de 24 horas para la presentación oficial. Es tal el revuelo que nos hemos tirado a indagar sobre las posibles opciones de NVIDIA y a encontrar los rumores que puedan dar algo más de luz a este asunto.
Lo que sí sabemos con seguridad es que Ampere en su línea profesional está fabricada por TSMC con sus 7 nm, también llamados N7, los cuales tienen una densidad de 95,65 mT/mm2. ¿Usará toda la gama este nodo? ¿por qué Samsung ha aparecido en todas las filtraciones entonces?
Según parece y por lo que se habla entre bambalinas, TSMC no tiene capacidad de producción suficiente para NVIDIA. Apple, AMD y Huawei se han llevado el pastel de los 7 nm en obleas con gran volumen, de ahí el paso a Samsung, pero entonces, ¿Ampere llega con Samsung a 7 nm con EUV? Esto no parece ser del todo cierto, al menos en parte, pero son buenas noticias para NVIDIA, por un lado, pero malas por otro.
¿Samsung a 7 nm? ¿habrían diseñado un nodo específico para NVIDIA?
Aquí hay que enlazar tanto informaciones como rumores anteriores. Y es que a la sabida nula capacidad de suministrar obleas de TSMC hay que añadirle el hecho de que Samsung lleva con retrasos sus 7 nm EUV, hasta tal punto que podría prescindir de ellos y dar el salto a su siguiente nodo.
¿Qué quiere decir todo esto? Pues que los 8 nm LPP de Samsung podrían no ser suficiente para albergar la cantidad de transistores que los de Huang habrían pretendido, además con unas tasas de julio por vatio muy superiores a lo esperable. Hay que recordar que el 28 de octubre de 2018 Samsung aseguró que sus 7 nm LPP entraban en producción de riesgo y ni 6 meses después ya estaban listos. Este proceso es EUV, pero se diseñó pensando en SoCs móviles y no en un chip masivo como el GA102.
Por lo tanto, se presupone actualmente que el gigante coreano en su acuerdo con NVIDIA les ofreció algo que no podían rechazar: un nodo personalizado DUV a un coste muy bajo y con una densidad un 10% superior a los 8 nm de alto rendimiento. Según se rumorea, la densidad estaría cerca o justamente por encima de los 80 mT/mm2, por lo que es un salto muy grande frente a los 8 nm LPP, aunque sigue sin ser suficiente para igualarse a TSMC.
Esta es la buena noticia que traería este proceso litográfico personalizado. La mala es que el consumo se ha disparado incluso con él, por lo que en términos de eficiencia puede que realmente no sea tan bueno. Son especulaciones de momento, así que tendremos que esperar a que Huang, vestido con chupa de cuero como siempre, nos desvele exactamente los detalles del nodo.