Latencias RAM: cuáles son las más importantes y cómo afectan al rendimiento de tu PC

Escrito por Javier (Javisoft) López

Las memorias RAM están pasando de ser un componente cualquiera a uno que aporta rendimiento a coste cero en muchos casos, ya que muchos modelos permiten subir frecuencia mediante overclock o en cambio apretar las tan buscadas latencias. En este artículo trataremos estas últimas, explicando cuáles son las más importantes y cómo afectan a rendimiento del sistema.

El rendimiento de la memoria depende de la relación entre velocidad y latencia

Timming-memoria-RAM

La realidad es que la mayoría de fabricantes, por no decir el 100% de ellos, facilitan dos parámetros clave que nos hacen pensar que el rendimiento viene definido por estos: la frecuencia y el CAS.

Tenemos la concepción de que esta latencia, el CAS, es el factor más importante del rendimiento, pero lo cierto es que la mejoría viene desde otro punto de vista, desde el tiempo o retardo entre cuando se introduce y ejecuta un comando.

Ese tiempo entre ambas acciones es lo que se denomina realmente latencia. Lo curioso es que a los llamados Timmings les denominamos precisamente así, como latencias, pero esto es realmente un error muy común.

Latencia = tiempo de ciclo de reloj X número de ciclos de reloj (CL)

Velocidad vs Latencia

La verdadera latencia se calcula con dicha fórmula, ya que cuando el IMC indica a la memoria RAM, en cualquiera de sus módulos, que acceda a una ubicación concreta en sus chips, los datos tienen que realizar un número de ciclos de reloj específicos en el CAS (Column Access Strobe, también llamado CL o Cas Latency).

Esto es lo que incita al error, ya que en vez de especificar el CAS que una memoria ofrece debería de ofrecerse los milisegundos que tarda en realizar el proceso en cada ciclo de reloj.

Como se puede entender, el CAS ofrece solo la mitad de la información, ya que ofrecen el número de ciclos de reloj, pero no la duración de cada ciclo.

Explicado el CAS o CL, entremos a explicar otros parámetros importantes como el tRCD, tRP o tRAS.

tRCD o RAS to CAS Delay (retraso de la dirección de la fila a la dirección de la columna)

Dentro de la nomenclatura tRCD tenemos que explicar qué es RAS (Row Address Strobe o dirección de fila estroboscópica).

Este parámetro incluido dentro de tRCD hace alusión a una señal enviada a una DRAM, la cual le dice que una dirección asociada “X” es una dirección de fila determinada “Y”.

Esto se produce porque los bits de datos se almacenan en una celda ubicada y situada por la intersección de una dirección de columna y una dirección de fila.

Entonces es cuando entra en funcionamiento el CAS, validando la dirección de la columna y dando paso a nueva información si fuera necesario.

El tiempo que transcurre entre el RAS y la validación del CAS es lo que se conoce por tRCD y por supuesto su rendimiento viene afectado por el segundo.

tRP o RAS Precharge (tiempo de precarga de fila)

Conocido como retardo de precarga del RAS. Este término viene dado por su función, ya que el valor resultante y que lo define parte del número mínimo de ciclos de reloj requeridos entre la emisión del comando de precarga y la apertura de la siguiente fila.

La palabra clave que lo explica es precisamente precarga, debido a que, dando por hecho de que tenemos seleccionada una fila, la memoria tendrá que esperar los ciclos estipulados antes de seleccionar y acceder a una fila diferente.

Esto supone que en ese caso la RAM tendrá que esperar los ciclos combinados de tRP + tRCD + CL, precargando los datos en ella más tarde.

tRAS (tiempo activo de fila)

Este parámetro es fácil de comprender, ya que es el número mínimo de ciclos para los que debe estar activa una fila para garantizar que tengamos tiempo suficiente para acceder a la información que contiene.

La tendencia es que este valor debe ser igual o mayor a la suma de los tres anteriores, es decir: tRAS = CL + tRCD + tRP.

Command Rate o CR

Es un comando bastante simple pero muy potente y que no será compatible con ciertos IMC a no ser que sean realmente buenos.

Básicamente, es el tiempo que transcurre entre la selección del chip de memoria (matriz) en el que se activa el comando y el tiempo del comando en sí mismo.

Afecta de manera muy abrupta al rendimiento en según qué módulos de memoria, y al mismo tiempo a la estabilidad del sistema.

Normalmente los chips de mayor calidad pueden ejecutar comandos de 1T, pero es algo que realmente cada uno debe probar teniendo en cuenta lo anteriormente dicho.

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  • Francisco Schwindt

    Wow, yo entré creyendo que iba .Averigua comparativas de rendimiento, y terminé leyendo chino (na, mentira, buen post, la verdad que todo claro como el acua)

  • Cristian Soave

    Ejemplos practicos plis…

  • Existe una relación entre velocidad y latencia. Ahora bien: Memorias con la misma velocidad y distinta latencia, es mejor siempre la que menor latencia tenga. Memorias de velocidad similar pero no igual, aquí la cosa cambia:

    Una memoria de 2.000 Mhz con una CL 5 es más rápida que una memoria de 2.666 Mhz con CL 14 ¿Por qué?

    Tiempo de acceso (Latencia real o verdadera) = (CL/Frecuencia) * 2000

    Tiempo de acceso en la memoria 2.000 Mhz CL 5

    Tiempo de acceso = (5/2000) * 2000 = 5 ns (nanosegundos)

    Tiempo de acceso en la memoria 2.666 Mhz y CL 14:

    Tiempo de acceso = (14/2666) * 2000 = 10,5 ns

    Es decir la memoria con mayor velocidad, tarda en acceder más del doble respecto a la memoria de menor velocidad.

    Salu2

    • El-traqueotomías

      Mejor pon ejemplos reales y no inventados, porque lo que pones es ridículo XD.

      • Nanduelo

        Eso, eso que utilices aceitunas como ejemplo y asi nos enteramos todos. XD

      • Los ejemplos los tienes en la tabla que han usado la misma fórmula que usé yo.

        RAM DDR 4 2.133 MHz CL 15 -> (15/2.133) * 2.000 = 14,06 ns
        RAM DDR 4 1.866 MHz CL 13 -> (13/1.866) * 2.000 = 13,93 ns

        Salu2