Especificaciones de la próxima memoria DDR4: frecuencias desde 2133 hasta 4266MHz

Especificaciones de la próxima memoria DDR4: frecuencias desde 2133 hasta 4266MHz

Alex Gálvez

Con la memoria DDR3 en pleno proceso de adaptación por parte de los usuarios, ya se trabaja en las especificaciones de la próxima generación: DDR4. Frecuencias, voltajes e incluso un cambio en la topología del sub-sistema de memoria parecen claros.

La compañía encargada de realizar diversos estándares, JEDEC, ha debatido con fabricantes los fabricantes de memorias RAM acerca de su nueva generación, DDR4. Son muchos los detalles que se han tratado en la conferencia Memcon10 celebrada en Japón.

Empezando por las frecuencias, 2133MHz será el punto de partida, llegando a los 4266MHz. Además, comunicaron que estandarizarán las frecuencias de 1866MHz en 2011 y de 2133MHz en 2012, ambas frecuencias para las memorias DDR3 (hasta ahora el máximo que recogía el estándar es 1600MHz), de forma que el valor máximo de la memoria DDR3 será igual al del comienzo de la nueva generación.

Con estas frecuencias, es inevitable realizar una reducción en el voltaje para garantizar una operación segura. Erroneamente se suele pensar que el voltaje es lo único que afecta al consumo, pero la frecuencia también juega un papel importante, como es el caso en el que con cada generación se dobla el valor de frecuencia.

Así, se habla de 1.2V para los módulos DDR4 y 1.1V para los de bajo voltaje, incluso apareciendo la cifra de 1.05V. Para ello se avanzará en el proceso de fabricación hasta los 30nm, siendo posible los 20nm para cuando llegue su producción en masa.

Otro de los puntos más destacados es el cambio de topología propuesto, pasando a ser de punto a punto. De esta forma, se limita el uso de un único módulo por canal de memoria DDR4,lo que limitaría la capacidad máxima.

 

En un principio se han ideado 2 soluciones:

  • La primera solución a este problema es que los fabricantes aumenten de forma notable la densidad de sus módulos, dotándolos de mucha más capacidad. Para ello deberían aplicar más capas de componentes por medio dela tecnología TSV (through silicon via), es decir, sería como fabricar módulos de memoria en cascada.
  • La segunda constaría deemplear unos puentes en la placa base que conecten varios módulos a un mismo canal, de forma que distribuya el trabajo entre ellos.

En cuanto a la llegada de la DDR4, el estándar estará terminado a lo largo de 2011, siendo la fecha prevista de salida de los primeros módulos para 2012. De todas formas, no se espera que se lleve a cabo la producción en masa hasta 2015 (si no hay retrasos).

Fuente: PC Watch

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