Samsung pisa el acelerador: sus chips a 2 nm antes que TSMC e Intel

El avance para hacer chips con transistores cada vez más pequeños se ha convertido con el tiempo en una especie de juego de la silla en la que con cada nuevo nodo se iban desapuntando más y más fabricantes. Con TSMC e Intel habiendo confirmado su nodo a 2 nm nos quedaba Samsung, pero no la veremos caer, ya que acaban de presentar su versión de dicho nodo. ¿Cuándo lo veremos?

En la actualidad los transistores que utilizan los dispositivos informáticos son los llamados FinFET, pero las grandes fundiciones para llegar a ciertas densidades necesitan hacer uso de un nuevo tipo bautizado como Gate All Around o GAAFET. De la implementación de dicha tecnología Samsung había hablado ya en 2019, dado que ya había en desarrollo un prototipo de esta tecnología para asegurarse el futuro.

Samsung-3nm-GAAFET

Dos años después, la multinacional coreana ha confirmado que tiene ya listos sus 3 nm para empezar a fabricar chips en 2022, pero esta no ha sido la única novedad, ya que Samsung también ha hablado de su nodo de 2 nm por primera vez. Con ello pretenden demostrar que no quieren quedarse atrás frente a sus rivales directos, Intel y TSMC. ¿Para cuándo estará disponible el nuevo proceso de fabricación de uno de los tres mayores fabricantes de semiconductores?

Samsung no descabalga y también tendrá su nodo a 2 nm

Samsung

En el Samsung Foundry Forum 2021 la compañía surcoreana ha dejado ir novedades respecto a sus futuros nodos de fabricación basados en la tecnología de transistores GAA, la cual le permitirá desplegar los siguientes procesos de fabricación:

  • El proceso 3GAE, Gate-All-Around-Early, entrará en producción en masa para finales del año 2022.
  • Justo un año después y también a finales de año seguirá el proceso 3GAP. Gate-All-Around-Plus.

Del primero de estos procesos ya conocemos información, respecto al nodo de 7 nm FinFET de la propia Samsung, el cual es ya más avanzado que el utilizado por NVIDIA en sus RTX 30. Se espera que 3GAE reduzca el área en un 45 % aparte de tener un aumento de rendimiento del 35 % o una reducción en el consumo del 50 % respecto a su proceso de fabricación 7LPP. En las fábricas de la multinacional ya habrían desarrollado los primeros chips bajo dicho nodo hace unas semanas, en cuanto al proceso 3GAP fuera de la fecha de lanzamiento no sabemos nada más.

Samsung mapa ruta 3 2 nm

Aunque la sorpresa por parte de Samsung ha sido el anuncio de su nodo de 2 nm, el cual entrará en producción a finales de 2025. Esto significa que los primeros productos que utilicen este proceso de fabricación no los veremos como muy pronto hasta 2026 e incluso podrían irse a 2027.

Como información final dejaremos caer un recordatorio, los nanómetros que se utilizan de cara al marketing ya no miden las mismas medidas entre diferentes fundiciones y pese a que Intel recientemente los ha renombrado para equipararse con TSMC, en cambio desde Samsung la equivalencia en sus nodos es distinta, por lo que no podemos compararlos en lo que a nanómetros se refiere de una factoría a otra y solo dentro de la misma.