Si 64 GB de RAM te parece mucho, en el futuro podríamos ver módulos de 512 GB
La RAM es uno de los componentes más importantes que podemos encontrar en un ordenador, afecta directamente al rendimiento que tendrá el PC mientras que también puede ser la causante de bastantes fallos que aparecen en el mismo. Tener muy poca memoria puede causar bloqueos y problemas en el ordenador pero no parece ser algo de lo que tengamos que preocuparnos en un futuro ya que una compañía ha presentado una tecnología para implementar 512 GB en un solo módulo de RAM.
Para poder hacer frente a las necesidades que tienen algunas de las tecnologías actuales resulta necesario desarrollar nuevos componentes que sean compatibles con los formatos actuales pero que a su vez logren mejorar en gran medida las especificaciones que pueden llegar a ofrecer. Esto es algo que podemos encontrar en cualquier tipo de hardware, ya sea en los procesadores, en las gráficas o en la memoria RAM, son muchas las compañías que buscan encontrar la clave para ofrecer esta mejora, y parece ser que NEO Semiconductor ha dado con la clave para crear las memorias RAM de próxima generación.
El equivalente a ocho memorias de 64 GB en una sola, así será la RAM del futuro
El estado de la RAM actualmente es bastante normal, llevamos unos cuantos años viendo cómo se anuncian cada vez más módulos distintos que ofrecen capacidades realmente altas mientras que a su vez también consiguen mantener velocidades superiores al estándar de 6000 MHz. Pero ahora una compañía llamada NEO Semiconductor está buscando la forma de revolucionar la memoria DRAM gracias a un nuevo diseño de celdas que han nombrado como 3D X-DRAM 1T1C y 3T0C que permitirán ofrecer prácticamente 10 veces más capacidad que los módulos normales.
La tecnología 3D X-DRAM que ha desarrollado la compañía podría permitir que las nuevas celdas podrían ser capaces de albergar 512 Gb (el equivalente a 64 GB) en cada uno de los chips que incorpora una memoria RAM lo que permitiría ofrecer como mínimo 10 veces más capacidad que los modelos actuales del mercado. Según las primeras pruebas que han realizado también indican que estarían optimizadas para ofrecer la mayor velocidad posible, ya que esta tecnología ofrecería una velocidad de lectura/escritura de 10 nanosegundos.
Este diseño se basta en un material creado a base de óxido de indio, galio y zinc (IGZO) utilizado comúnmente en pantallas debido a que ofrece un consumo más bajo mientras que además logra aumentar las capacidades y el rendimiento del dispositivo. Las celdas 1T1C y 3T0C construidas a partir de este semiconductor pueden construirse como una memoria NAND 3D mediante el diseño apilado que hemos visto en tantas ocasiones, permitiendo además una compatibilidad superior con los diversos procesos de fabricación al no cambiar de tecnología para crear nuevas memorias.
Está claro que parece ser uno de los grandes avances que surgen cada cierto tiempo, la compañía tiene previsto que estos diseños vean la luz en 2026 pero se espera que ofrezcan más información sobre cómo funciona y las ventajas que ofrecerá este mismo mes durante el IEEE IMW que tendrá lugar entre el 18 y el 21 de mayo.
