Samsung comienza a producir en masa DRAM de 7 nm con EUV

Escrito por Javier (Javisoft) López

El que no corre, vuela. Sin duda el mercado no se detiene ni espera a nadie, que se lo pregunten a Intel con sus 10 nm. Lo cierto es que tener el proceso litográfico más avanzado del mundo permite una ventaja más que considerable con tus adversarios empresariales. Samsung lo sabe y por ello ha puesto en marcha el primer proceso litográfico de 7 nm con EUV del mundo para la creación de DRAM.

ArF vs EUV, la disonancia actual

photo001_l

En otros artículos ya hablamos más a fondo de ArF, la tecnología actual para grabar las obleas de las principales fundiciones del mundo. Pero como toda tecnología tiene un límite, al que en este caso hemos llegado.

Intel lo sabe bien, ya que su proceso de 10 nm será el último de la compañía bajo esta técnica que tantos retrasos les ha originado. El siguiente paso ya adoptado por las principales fundiciones del mundo es EUV o Extreme Ultra-Violet.

La noticia radica en el comunicado por parte de Samsung con su nuevo nodo a 7 nm bajo EUV, donde espera fabricar en masa sus principales chips para DRAM.

Este movimiento ha sido causado por varios factores, donde uno de ellos fue la presentación que SK Hynix de sus 16 nm también bajo EUV de la mano de ASML.

Dicho proceso litográfico se producirá en su fábrica M16 que Hynix inauguró el 27 de julio de este año y que ya tiene los primeros chips funcionales según las filtraciones.

photo004_l

Así, la empresa espera poder comenzar con la fabricación en serie a partir de 2020 y poder competir así con Samsung y sus 7 nm +. Ambas compañías contarán con la misma tecnología de grabado litográfico, lo que según ASML con EUV se reducirán los costos de fabricación entre un 15 y un 50%.

Parte de dicha reducción se centra en un menor número de errores y pasos para completar los grabados litográficos, ya que con ArF las empresas tenían que recurrir al llamado multipattening, por lo que a base de exposiciones se conseguía mejorar dicho grabado.

EUV es el presente y el futuro inmediato

photo005_l

EUV en cambio se basa en un solo grabado, por lo que el patrón conseguido no está “borroso” como comentan los ingenieros.

Este paso a EUV propicia que empresas como Samsung o Hynix consigan diseños más complejos, mayor número de capas de cableado de circuitos y todo con un número de máscaras menor.

Actualmente existen pocos modelos de máquinas que puedan trabajar con EUV, donde además su rendimiento es limitado como suele pasar con las nuevas tecnologías.

Actualmente el escáner más avanzado del mundo lo diseña y construye ASML con su NXE 3400B. Para que nos hagamos una idea, en 2017 se enviaron 10 unidades, en 2018 aumentaron a 12 y llegados al día de hoy el número se incrementó hasta las 18 unidades vendidas y distribuidas.

Esto significa que en dos años solo ha habido 28 escáneres en el mundo de esta unidad NXE 3400B, aunque se espera que el número aumente considerablemente en 2019.

A este hándicap hay que sumarle su tasa de rendimiento de 125 obleas por hora, lo que da un rendimiento de 2.08 obleas por minuto.

Poco a poco EUV despega, Samsung será el primero pero ni mucho menos el último, por lo que nos espera un 2019 y 2020 apasionantes.

Fuente > PCwatch

Continúa leyendo
  • alxSoft

    Ultravioleta… en que longitud de onda estarán, UVA, UVB O UVC, será posible adaptar rayos gama para estas máquinas y mejorar la precisión!? según el espectro de luz, los rayos gama deberían lograrlo.

    • Mati Bobadilla

      El tema es que ese tipo de “luz” es ionizante lo cual afecta las propiedades de los transistores si logran solucionar eso pueden conseguir menos nanometros y mas precision

      • alxSoft

        Pues si… y de paso evitar un Hulk!! supongo.

        saludos!