Crean transistores de 2,5 nm con precisión atómica: La Ley de Moore seguirá viva
Una nueva tecnología de fabricación, desarrollada por científicos del MIT y la Universidad de Colorado, en Estados Unidos, ha conseguido producir los primeros transistores de 2,5 nm. Mejorando, de esta manera, el límite máximo que había conseguido IBM a la hora de diseñar transistores que se pudieran producir a gran escala de manera efectiva. Es muy posible que con esta nueva técnica, se pueda continuar la reducción en el tamaño de fabricación de estos componentes imprescindibles en los dispositivos electrónicos y así poder seguir cumpliendo con la Ley de Moore.
Reducir el nodo de fabricación de los componentes electrónicos es una técnica que trae muchos beneficios para los fabricantes de estos. No solo se puede conseguir un mayor número de unidades en cada oblea, sino que el consumo de estas partes suele ser menor que el de sus contrapartes fabricados con mayores nanómetros. Este hecho se puede aprovechar para crear componentes de menor consumo o se puede emplear para subir sus frecuencias de funcionamiento.
Hasta el momento, el nodo de fabricación de menor tamaño que posee la industria es el de 5 nm desarrollado por IBM, aunque este nodo de fabricación todavía se está desarrollando (desde mediados de junio del pasado año 2017) y dista mucho de ser posible la fabricación a gran escala usando fábricas como las de Samsung o las de TSMC.
Los transistores de 2,5 nm emplean una técnica muy similar a los FinFET
Para fabricar estos primeros transistores a 2,5 nm, el equipo modificó parcialmente la tecnología que se suele emplear en la fabricación de los transistores FinFET con su método denominado «grabado de la capa atómica» (Thermal Atomic Layer Etching, Thermal ALE), empleando como semiconductor arseniuro de galio indio, el cual luego se expone a fluoruro de hidrógeno, lo cual crea una fina capa de fluoruro metálico en la superficie del sustrato.
El siguiente paso que ha realizado este equipo de científicos es añadir un compuesto orgánico denominado cloruro de dimetialuminio (DMAC), lo que les va a permitir eliminar diferentes capas de tan solo unos pocos átomos de grosor, hasta llegar hasta los transistores de 2,5 nm.
Cuanto menor es el tamaño de los transistores, mayor es la complejidad de las técnicas que se deben de emplear en su fabricación. El hecho es que las modernas máquinas EUV han de emplear precisión atómica para alcanzar los 7 nm que están demandando los fabricantes de componentes. Este es uno de los problemas que más encarecen, hoy en día, el diseño y la producción de los componentes con nodos de fabricación por debajo de los 14 nm.
