Toshiba y Western Digital aumentan la producción de 3D NAND de 96 capas para SSD

Escrito por Javier Lopez

La demanda de memoria 3D NAND Flash está creciendo y expandiéndose en muchos sectores como centros de datos y smartphone por lo que Toshiba y Western Digital aumentarán la producción gracias a una nueva fábrica en Japón llamada Fab 6 que producirá 3D NAND de 96 capas.

Será en Yokkaichi, una ciudad al norte de Japón, donde esta Fab 6 empezará a trabajar de inmediato y se verá apoyada con un centro de I+D (Memory R&D Center) junto a la propia fábrica. La construcción empezó en febrero de 2017 y tan solo un año y medio después está finalizada.

El centro de I+D en cambio comenzó a funcionar en marzo de este año y tiene como objetivo explotar y promover los avances en el desarrollo de memoria flash 3D.

Fab 6 incluye toda la última tecnología disponible del mercado

El Dr. Yasuo Naruke, presidente y CEO de Toshiba Memory, dijo que estaban entusiasmados con las oportunidades para expandir el mercado de su última generación de memorias Flash 3D, ya que tanto la Fab 6 como el centro de investigación les permiten mantener su posición como líderes del mercado.

Yasuo está seguro de que junto con Western Digital les permitirá producir memorias de vanguardia en Yokkaichi.

Fab 6 se especializará en lo que denominan BiCS Flash, la innovadora memoria 3D Flash de Toshiba, gracias a esto conseguirán rentabilizar la inversión según la tendencia del mercado en los próximos años.

Por su parte, Steve Milligan (Director Ejecutivo de Western Digital) comentó que estaba encantado de poder tener un socio como Toshiba Memory, ya que durante casi dos décadas la exitosa colaboración entre sus empresas ha fomentado el crecimiento y la innovación de la tecnología NAND Flash.

Prosiguió alegando que la producción de NAND 3D de 96 capas está aumentando para abordar la gama completa de oportunidades de mercado final, desde aplicaciones para consumidores y aplicaciones móviles hasta centro de datos en la nube.

No está claro si se incluye los chips de memoria QLB de 4 Bits/célula con capacidad superior a 1,33 Terabits, pero si confirman que BiCS4 de 96 capas incluirá variantes mas pequeñas como TLC 3D NAND de 3 Bits/celda y 256 Gigabits.

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La Fab 6 argumentó, es una instalación de vanguardia que nos permitirá ampliar nuestra tecnología y nuestra posición de liderazgo en la industria.

Cabe recordar que en abril de 2017, Toshiba Memory se separo de la matriz Toshiba Corporation, siendo la primera pionera en soluciones y servicios de memoria gracias a BiCS Flash como el futuro del almacenamiento de alta densidad, ya sea para PC, SSD o centros de datos.

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  • Joan martinez serra

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    Toshiba nunca mais, me quedo siempre con Samsung en lo referente a almacenamiento.

  • alxSoft

    Me parecen más óptimos los módulos de memoria TLC de 96 capaz… por la relación Densidad-Durabilidad-Velocidad!