Samsung ha desvelado su nueva hoja de ruta para los próximos años en su Samsung Foundry Forum de 2018. La empresa ha desvelado suculentas propuestas para la mejora de la tecnología de los procesadores, centrándose en el alto rendimiento computacional y los dispositivos conectados.
Samsung tendrá listos en tres años los procesadores de 3 nm
La compañía busca mejorar la eficiencia de sus sistemas, consiguiendo reducir cada vez más el consumo de sus dispositivos portátiles y mas en concreto, el de los dispositivos móviles. El próximo proceso de producción que utilizará la compañía para hacer sus chips es el de 7 nm, llamado LPP (Low Power Plus) y será gracias a la tecnología de litografía extrema de luz ultravioleta (EUV). Este nuevo nodo empezará a utilizarse este mismo año y será escalado durante la primera mitad de 2019.
Esto no se queda aquí, los planes de Samsung van más allá y planean seguir bajando el tamaño de los transistores en los años siguientes. La versión escalada del proceso de 7 nm será de 5 nm. Con este nuevo proceso la empresa conseguirá mejorar aún mas el consumo de energía de sus chips. El fin del uso de la tecnología FinFET llegará con los 4 nm, nodo que utilizará como paso intermedio para el cambio de tecnología y que, a pesar del pequeño cambio respecto a 5nm, también traerá mejoras en rendimiento y consumo.
La sopresa llega al conocer que Samsung planea alcanzar los 3 nm con la nueva tecnología Gate-All-Around, para ello utilizarán el nuevo tipo de transistores que permiten resolver los problemas que tienen al fabricar con FinFET. La compañía ha renombrado esta nueva tecnología y la ha llamado: MBCFET (Multi Bridge Channel FET, FET canal de múltiples puentes).
Adiós a la tecnología FinFET
Aun quedan algunos años hasta que Samsung (o sus competidores) puedan producir a gran escala procesadores con el proceso de producción de 3nm. Pero no tantos, en 2021 Samsung planea tener listo este nodo y poder en 2022 lanzar al mercado chips con esta nueva tecnología.
El salto en rendimiento y consumo energético entre los procesadores de 7 nm y 3 nm será muy grande. Los equipos podrán llegar a frecuencias mucho más elevadas en un menor espacio, que podrá ser utilizado para dar mejores opciones de refrigeración; hay que tener en cuenta que a estos tamaños el calor generado es aún mayor.