SK Hynix Inc. ha anunciado que ya ha terminado de desarrollar el primer chip del mundo de 8 Gb (Gigabit) LPDDR3 (Low Power DDR3), utilizando su proceso de fabricación de 20nm. Este producto sería la solución de memoria móvil de mayor rendimiento del mundo, y cuenta con una alta densidad, alta velocidad y bajo consumo de energía.
Estos nuevos chips pueden ser apilados para formar conjuntos de hasta 4 GB (Gigabytes, es decir, 32 Gb (Gigabits)) en una sola pieza. Adicionalmente, la altura de este conjunto se reduce muchísimo en comparación a los chips de 4 GB existentes. En términos prácticos, este sería el chip ideal para smartphones y tablets de gama alta gracias a su alta densidad y velocidad, y pequeño tamaño además de bajo consumo.
Estos chips pueden funcionar a una velocidad de transferencia de 2133 Mbps, lo que sobrepasa con creces la anterior especificación de 1600 Mbps de la memoria LPDDR3, y por ende se convierte en la memoria DRAM para móviles más rápida del mundo. En términos empíricos, estos chips pueden transferir 8.5 GB de datos por segundo cuando funcionan en single channel y hasta 17 GB por segundo cuando están funcionando en dual channel (datos con procesos I/O de 32 bits). Funcionan a tan solo 1.2 V.