El Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) ha anunciado que ya ha finalizado las especificaciones de la Hybrid Memory Cube. La Hybrid Memory Cube es una revolución en la arquitectura de memoria DRAM, gracias a esta tecnología se consigue mejorar el consumo, rendimiento y el coste de la memorias DRAM. La HMC proporciona un rendimiento 15 veces superior al de la memoria DDR3.
Esta nueva tecnología ha sido diseñada por el Hybrid Memory Cube Consortium, un consorcio formado por más de 100 compañías, en unos 17 meses y se espera que llegue próximamente a los sistemas HPC (High-performance computing). Esta tecnología consiste en chips de memoria multi capa 3D, es decir, chips de memoria apilados. Los chips están conectados por un controlador VIA (Vertical Interconnect Access).
Esta nueva tecnología además de ofrecer un rendimiento muy superior a las memorias actuales (DDR3), también es más eficiente y necesita menos espacio. La HMC necesita un 70% menos de energía por bit de memoria menos que las memorias DDR3 y ocupa un 90% menos del espacio que ocupan los chips RDIMM actuales.
Los primeros módulos de memoria HMC estarán disponibles con dos interfaces de conexión física, una de corto alcance y otra de ultra corto alcance. La interfaz de corto alcance ofrecerá un ancho de banda de hasta 28 Gbps por pin. Los primeros chips HMC de corto alcance serán lanzados en la segunda mitad de este año y tendrán unas capacidades de entre 2 GB y 4 GB con un ancho de banda bidireccional de hasta 160 Gbps, la memoria DDR4 ofrece un ancho de banda de unos 20 Gbps.
Los primeros módulos HMC estarán destinados a FPGAs, ASICs y ASSPs. Los módulos de ultra corto alcance llegarán el próximo año.
Podéis consultar las especificaciones en el siguiente enlace: Especificaciones.
