Samsung revolucionará el mercado de SSDs con V-NAND de 1000 capas

Samsung presentó la primera memoria 3D NAND producida en masa, denominada V-NAND, allá por 2013 y para ese entonces ya iba muy por delante de sus rivales. Tras ello comenzó con la producción de 24 capas y ahora, habiendo ganado mucha experiencia con la memoria flash multi capa, está en camino de introducir dispositivos V-NAND de 176 capas. No obstante, esto es solo el comienzo porque el fabricante ha dicho que prevé chips V-NAND de 1.000 capas en el futuro.

Con la tecnología actual y la miniaturización de los componentes, los fabricantes se dieron cuenta de que resultaba complicado aumentar la densidad de manera horizontal, motivo por el que recurrieron a las tecnologías de escalado en vertical que consiste, a grandes rasgos, en apilar capa tras capa para aumentar la densidad. Samsung fue pionera con la memoria 3D NAND, llamada V-NAND (Vertical NAND), y su desarrollo ha llegado hasta tal punto que ya tienen las 1.000 capas en el punto de mira.

Samsung lanzará V-NAND de 176 capas bajo PCIe 5.0 este año

Samsung tiene la intención de comenzar a producir SSDs de consumo alimentados por su memoria V-NAND de séptima generación con 176 capas y, según la compañía, las celdas de memoria NAND más pequeñas de la industria. La interfaz de esta nueva memoria flash cuenta con una velocidad de transferencia de datos de 2.000 MT/s, lo que permite al fabricante construir SSDs ultra rápidos con interfaces PCIe 4.0 e incluso PCIe 5.0.

Samsung V-NAND

Las unidades utilizarán un controlador totalmente nuevo optimizado para realizar múltiples tareas con cargas de trabajo enormes, por lo que se espera un sucesor del Samsung SSD 980 Pro que demuestre un rendimiento sólido en aplicaciones de estaciones de trabajo.

Con el tiempo, Samsung introducirá SSDs de grado de centro de datos basados en su nueva memoria V-NAND de 176 capas. Es lógico esperar que las nuevas unidades ofrezcan un rendimiento mejorado y mayores capacidades a la altura de la nueva generación de la interfaz PCI-Express.

Ya tienen chips de 200 capas y las 1.000 capas están en el punto de mira

Mientras que los chips V-NAND de 176 capas ya están en fase de producción en masa, Samsung ya ha construido las primeras muestras de su V-NAND de octava generación con más de 200 capas. El fabricante dice que comenzará a producir esta nueva memoria en función de la demanda del mercado; las empresas suelen introducir nuevos tipos de dispositivos NAND cada 12-18 meses, por lo que podríamos hacer conjeturas más o menos argumentadas de la línea de tiempo planificada por Samsung para estos chips de más de 200 capas: finales de 2022 o principios de 2023.

Chips NAND

Hay varios desafíos a los que Samsung se enfrenta en esta búsqueda por aumentar la cantidad de capas. Hacer que las células NAND sean pequeñas (y con capas más delgadas) requiere el uso de nuevos materiales para almacenar cargas de manera confiable, y grabar cientos de capas también resulta un desafío de ingeniería. Dado que no es factible ni económico el grabar cientos de capas (construir una oblea NAND 3D de 1.000 capas en una sola pasada), los fabricantes utilizan técnicas como el apilamiento de cuerdas, que también es complicado de llevar a cabo en grandes volúmenes.

Finalmente, los fabricantes de memoria flash deben asegurarse de que sus pilas 3D NAND sean lo suficientemente delgadas para caber en dispositivos orientados al PC y a smartphones; como resultado, no pueden simplemente aumentar la cantidad de capas de manera infinita, aunque Samsung ya ha dicho que cree que los chips de 1.000 capas son perfectamente factibles.

A principios de este mismo año, SK Hynix dijo que imaginaba 3D NAND con más de 600 capas, por lo que Samsung desde luego no es la única empresa con el foco puesto en esto. Es imposible vaticinar cuándo veremos el desarrollo de los chips V-NAND de 1.000 capas, y es probable que como los fabricantes ya no aspiran a duplicar la densidad cada año es probable que pasen de 5 a 10 años hasta tener noticias tangibles sobre ello.

¡Sé el primero en comentar!