Esta memoria universal funciona como NAND Flash y como RAM: ¿una revolución para la informática?
Un grupo de científicos de la Universidad de Lancaster, han realizado un descubrimiento que podría revolucionar todo el segmento de la informática de consumo. Desde los smartphones hasta los ordenadores personales. Se trata de un nuevo tipo de memoria universal, que es capaz de funcionar como memoria RAM y, también, como memoria NAND Flash. Gracias a este descubrimiento, solo se necesitaría montar un único tipo de memoria en nuestros sistemas.
Todos sabemos que, hoy en día, existen dos tipos de memoria que se emplean para el almacenamiento de datos en nuestros PC:
- Memoria RAM: se caracteriza por ser excepcionalmente rápida y por consumir muy poca energía. Pero tiene el problema de necesitar una fuente de energía que mantenga los datos en el interior de las células de memoria de manera constante. Por ello, a esta memoria se la llama memoria volátil.
- Memoria NAND Flash: Este otro tipo de memoria de almacenamiento es todo lo contrario de la memoria RAM. No es tan rápida como ella y consume bastante mayor energía. Sin embargo, presenta la gran ventaja de ser capaz de mantener almacenados los datos en el interior de sus células de memoria, sin necesidad de alimentación constante. Es por ello que se la denomina memoria no volátil.
Hasta hace bien poco tiempo, se pensaba que conseguir un tipo de memoria universal, que aunara en el mismo diseño todas las ventajas de ambos tipos de memoria, sin las desventajas que tienen, sería un imposible. Cierto es que Intel presentó hace ya algún tiempo su Intel Optane Persistent Memory. Pero aquí hablamos de un tipo de memoria destinada solo al mercado de servidores. Y no es esa la dirección que han querido tomar los desarrolladores de la memoria universal.
La nueva memoria universal consumiría hasta 1000 veces menos que la memoria NAND Flash
Los científicos de la Universidad de Lancaster se vieron obligados a recurrir a la mecánica cuántica para poder desarrollar las nuevas células de la memoria universal. Estas nuevas células de memoria universal emplean un diseño de puerta flotante sin óxido, cuya base es un semiconductor compuesto. Este semiconductor compuesto cambia de estado con mucha facilidad (como la memoria RAM), pero permite almacenar los datos en el interior de las células de memoria durante un tiempo casi indefinido (mejor incluso que la memoria NAND Flash). No solo esto, sino que cuando realiza operaciones de escritura, no daña la célula de memoria, con lo que su durabilidad se incrementa bastante, justo al contrario de lo que sucede con la memoria NAND Flash. Dada su facilidad para el cambio de estado, el semiconductor compuesto es capaz de funcionar con un consumo 100 veces inferior al de la memoria RAM y hasta 1000 veces el de la memoria NAND Flash.
El hecho es que, esta nueva memoria universal es capaz de combinar en un único tipo de memoria de almacenamiento, todas las ventajas de la memoria RAM, junto con las ventajas de la memoria NAND Flash. Los descubrimientos de los científicos se han publicado en un artículo de la revista Nature, donde explican de manera detallada el método que han empleado para desarrollar esta memoria.
Los científicos ya han patentado su nuevo descubrimiento, tanto en Europa como en USA, donde varias compañías han mostrado interés en esta nueva tecnología.
