Samsung ha anunciado que ha adelantado su proceso de producción con su propio nodo FinFET a 10 nanómetros, adelantándose así a la predicción de TSMC que en teoría lo tendrá listo para 2017. Eso sí, Samsung no ha publicado todavía su agenda así que no podemos saber fecha exacta de momento.
2017, o finales de 2016 como pronto, será en teoría el momento en el que llegarán los primeros chips fabricados con el proceso FinFET a 10 nanómetros. Sin embargo y para no perder la costumbre, Samsung quiere adelantarse a la industria, y como tiene sus propios nodos de fabricación y un inconmensurable presupuesto para I+D, pueden hacerlo sin demasiados problemas.
El motivo de adelantar la producción de chips a 10 nanómetros está claro: primero, para utilizarlos en sus propios dispositivos. Ya han realizado implementaciones pioneras con éxito hace poco, sin ir más lejos con los Galaxy S6 y S6 Edge sustituyendo los chips Qualcomm Snapdragon 810 por uno propio fabricado a 14 nanómetros e implementando la memoria RAM DDR4 y memoria interna UFS 2.0, unas implementaciones que en términos de eficiencia y rendimiento no podrían haberles salido mejor.
El segundo motivo también está claro, por lo menos para nosotros: si Samsung se convierte en el primero en tener chips FinFET a 10 nanómetros, tienen muchas papeletas de que el resto de fabricantes los elijan a ellos y no a otros para implementar esta nueva litografía en sus terminales.
Personalmente nosotros vemos una ventaja adicional, aunque no para Samsung, y es que este movimiento de los coreanos podría “meter prisa” a TSMC, de manera que es posible que quieran acelerar la implementación de su nodo a 10 nm (si es que pueden, claro) para tener listos los primeros chips a la vez que Samsung, hecho que nos beneficiaría a los usuarios pues veríamos la típica competencia entre uno y otro, ya que a igualdad de facultades la “guerra” es por ver quién lo vende más barato.
En cualquier caso, no tenemos hoja de ruta de Samsung en lo relativo a la producción de estos nuevos chips, así que solo podemos basarnos en nuestras propias estimaciones: finales de 2016 (hablamos de producción en masa y de cara al usuario final. Samsung ya tiene obleas FinFET a 10 nm como podéis ver en las imágenes). Ya veremos en cualquier caso qué es lo que Samsung nos tiene preparado, puesto que falta bastante tiempo para tener algo tangible a 10 nanómetros y entre medias pueden pasar todavía muchas cosas.