Intel y Micron desvelan su nueva memoria flash NAND 3D

Escrito por Rodrigo Alonso
Discos Duros
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Micron Technology e Intel Corporation han anunciado la disponibilidad de su nueva tecnología de memoria NAND 3D, la memoria con mayor densidad del mundo. Esta tecnología de almacenamiento está orientada a ultraportátiles, centros de datos y en prácticamente todos los dispositivos móviles, incluyendo smartphones y tablets. Os explicamos en qué consiste.

Esta nueva tecnología de memoria NAND 3D ha sido desarrollada en conjunto por Micron e Intel, y emplea celdas de almacenamiento superpuestas en capas de forma vertical, creando así chips de almacenamiento con una capacidad unas tres veces superior a la tecnología NAND flash de los dispositivos actuales. Esta gran densidad permite ofrecer capacidades de almacenamiento más elevadas en un menor espacio, lo que se traduce en una ventaja en términos de espacio, consumo y rendimiento, evitando a su vez las limitaciones en cuanto a escalabilidad que había hasta ahora y permitiendo que a partir de ahora la tecnología de memoria siga avanzando al ritmo de la Ley de Moore.

Micron 3D NAND

Las claves de la tecnología NAND 3D

La principal característica de esta tecnología se basa en las propias celdas de memoria que utiliza. Intel y Micron han utilizado en este caso celdas de puerta flotante, un diseño que desde hace tiempo se utiliza en el sector y que a lo largo de los años de producción de la memoria flash se ha ido perfeccionando generación tras generación. En este caso, Intel y Micron han utilizado por primera vez este tipo de celdas en memoria NAND 3D, una decisión clave en términos de diseño ya que permitirá escalar el rendimiento y mejorar la calidad y fiabilidad de los futuros productos basados en esta tecnología.

Tenemos por tanto que la tecnología de memoria NAND 3D utiliza varias pilas de celdas de memoria flash apiladas en 32 capas en módulos MLC (Multi Level Cell) de 256 Gb (Gigabits) o en celdas TLC (Triple Level Cell) de 384 Gb, empleando para ello el mismo área que los módulos de memoria que conocemos hasta ahora. Esto es por tanto un aumento de la densidad, que permitirá crear por ejemplo dispositivos SSD en formato M.2 de más de 3.5 Tb de capacidad, o utilizando el tamaño “estándar” de 2.5 pulgadas, dispositivos SSD de más de 10 Tb de capacidad, gracias a que ésta capacidad ahora se aumenta en vertical y no es necesario un PCB especialmente grande para integrar los chips. Además, de cara al futuro, este tamaño vertical se podrá aumentar, pudiendo integrar más y más capacidad en el mismo espacio.

 

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