Toshiba también se sube al carro de los 15 nanómetros

Escrito por Rodrigo Alonso

Hace solo un rato os contábamos que SanDisk había anunciado oficialmente que a partir de la segunda mitad de este año comenzaría la fabricación de chips NAND Flash con un nuevo proceso de 15 nanómetros, y ahora es Toshiba la que se cube al carro y hace lo propio. No es algo raro ya que cuando fue anunciado el ya anterior proceso de fabricación en 19 nanómetros allá por el año 2011, Toshiba y SanDisk hicieron un anuncio en conjunto.

No obstante, el proceso de fabricación en 15 nanómetros de Toshiba será un poco distinto al de SanDisk, comenzando por la fecha de iniciación. Si SanDisk ha dicho que comenzarán a utilizarlo a partir de la segunda mitad de este año, Toshiba ha anunciado que lo hará de manera inminente, desde finales de este mismo mes de Abril, al menos en una de sus fábricas (concretamente la Fab 5 de Yokkaichi Operations).

Toshiba 15nm

En cuanto al proceso en 15 nanómetros de Toshiba, también aplicarán la tecnología de dos bit-per-cell a los chips de 128 Gigabits (16 Gigabytes). Estos nuevos chips, según Toshiba, tendrán la misma velocidad de escritura que la anterior generación, pero incrementan notablemente la velocidad de transferencia hasta los 533 Mb/s, 1.3 veces más rápido que la pasada generación de 19 nm.

Toshiba está ya trabajando en aplicar la tecnología de 3 bit-per-cell y espera comenzar con la producción de éstos a partir de Junio (quizás por eso SanDisk ha dicho que comenzarán en la segunda mitad de año, puesto que esperarán a hacerlo con tecnología X3, mientras que Toshiba se conformará con tecnología X2 para comenzar antes la fabricación).

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