Todos sabemos la cantidad de problemas de fabricación que está teniendo TSMC con el proceso de 20 nanómetros, lo que ha provocado el retraso del lanzamiento de las tarjetas gráficas basadas en este proceso hasta al menos 2015. No obstante, TSMC copa más del 46% de la cuota de mercado de semiconductores y no puede permitirse dejar de investigar, y por ello la noticia de hoy concierne a sus nuevos procesos de fabricación en 16 nanómetros: FinFET y FinFET Turbo, los cuales llegarán entre finales de este año y comienzos de 2015.
Según cuenta la fuente, TSMC está poniendo todo su empeño para tener listo el proceso de fabricación en 16 nanómetros para finales de este año (recordad que un proceso de fabricación a menor escala implica mayor rendimiento y mejor eficiencia energética), y tendrá las dos variantes que os hemos enumerado al principio de esta noticia y que ahora pasamos a describir:
- 16 nm Bulk FinFET: proceso de fabricación «estándar» para chips de bajo consumo.
- 16 nm Bulk FinFET Turbo (FinFET+): proceso de fabricación de chips de alto rendimiento.
En teoría este proceso de fabricación básico (el FinFET) debería estar listo para finales de este año, aunque dados los precedentes de TSMC podemos esperarlo más bien para el año que viene. Estos chips permitirán la fabricación de SoCs ARM x86 con unas características que rivalizarán con los actuales SoCs de 14 nm Tri-Gate de Intel.
En cuanto al proceso de fabricación en 16 nanómetros más avanzado (FinFET+) se espera que esté listo para finales de 2015 o principios de 2016.
Fuente: Fudzilla.