Nadie quiere quedarse atrás en la industria de los semiconductores. Los nuevos procesadores que están por venir necesitan un cambio sustancial en sus transistores, algo de lo que ya hablamos en gran parte en su momento y que ahora Intel acaba de confirmar afirmando que dejará a un lado su tecnología FinFET. A cambio, ya tiene en diseño sus nuevos transistores Nanoribbon, una variante de GAA que dará vida a sus nuevas CPUs en un plazo relativamente corto de tiempo.
Ha sido en la conferencia internacional VLSI donde Mike Mayberry, CTO de Intel, ha desvelado el principal plan de ataque de la compañía para los próximos años. Si algo dejó claro la conferencia es que el gigante azul pretende dejar por completo CMOS en un futuro bastante más cercano del que creemos, lo que supondrá otro salto computacional incluso más grande que el hecho de cambiar a Nanoribbon.
Nanowire, Nanosheet y Nanoribbon, ¿son lo mismo o Intel va por otro camino?
A diferencia de FinFET, Intel no está marcando la pauta esta vez en lo que a transistores se refiere, pero eso no les ha quitado demasiado el sueño, puesto que aunque sus rivales ya anunciaron por donde iban a dirigir sus procesos litográficos y transistores, la compañía va a seguir la senda abriendo en cierto momento su propio camino.
Tanto Nanowire, como Nanosheet como Nanoribbon parten de la misma base: son versiones de estructuras Gate-All-Around o GAA, que como ya vimos aportan serias ventajas para los nuevos procesos litográficos y son más una necesidad para las fundiciones que una mejora real para el mercado de chips como tal.
Intel con FinFET ha llegado al límite que permite aumentar la altura de las aletas con su Gate, por lo que aunque seguirá reduciendo nanómetros y adaptando los transistores a estos, el tiempo de esta tecnología pasó y con ello optó por un método GAA novedoso llamado Nanoribbon. Esta tecnología difiere de las de Samsung (MBCFET Nanosheet) y TSMC (Nanowire) en el ancho de la aleta flotante.
Ahora las aletas se apilan verticalmente y las ventajas de un sistema u otro tendrán que ver con las capacidades de interconexión entre los transistores y capas, así como el control de voltaje de las Gates.
Al parecer, Intel va a tomar el camino de enmedio, proporcionando unas aletas que no son tan finas como las presentadas en Nanowire, ni tan gruesas como las Nanosheet.
Esto es importante a la hora de determinar la corriente de accionamiento de cada transistor. El sistema GAA tiene como ventajas un menor número de aletas y con ello se puede lograr hojas más gruesas y sobre todo ofrecer mayor continuidad a nivel energético, lo que propicia mejor control y gestión de la misma.
Intel se reafirma en su hoja de ruta
La pregunta más pertinente sería, ¿cuándo llegarán los transistores Nanoribbon de Intel? Según Mayberry, en no más de cinco años, lo cual supone en principio llegar muy tarde a la guerra con Samsung (sus nanosheet debería estar listos el año que viene) y casi a la par de TSMC, donde estos competirían con los 3 nm mientras que Intel estaría en 5 nm según su roadmap.
Esto quiere decir que la plataforma que dará vida a dichos transistores todavía está en el horno, y que tanto los 10 nm ++ como la versión más optimizada 10 nm +++, así como los 7 nm y 7 nm ++ llegarán al menos con FinFET. Por lo tanto y si Intel fuera totalmente escrupulosa a la hora de cumplir su roadmap, los Nanoribbon deberían debutar con sus 5 nm + o 5 nm ++.
En cualquier caso, serán un paso adelante necesario para seguir compitiendo al más alto nivel y habrá que ver cuál de los tres rivales consigue llevarlos a mayor frecuencia con menor consumo.