SK Hynix propone «resucitar» la memoria HBM… ¡dentro de las CPU!

SK Hynix propone «resucitar» la memoria HBM… ¡dentro de las CPU!

Rodrigo Alonso

En su discurso de apertura para el Simposio Internacional de Física del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos, el CEO de SK Hynix, Seok-Hee Lee, habló sobre la inevitable convergencia de la memoria y la lógica (lo que conocemos como computación en memoria), el estándar CXL que podría reemplazar a PCIe como el enlace más rápido entre la CPU y las tarjetas gráficas o las interfaces de memoria inteligentes, además del camino hacia chips NAND de 600 capas. Y, lo más interesante de todo, es que parece que quieren hacer resurgir a la ya abandonada memoria HBM. Vemos qué es lo que proponen y cómo pretenden llevarlo a cabo.

Los estándares de memoria RAM están ahora en transición a la era DDR5, que trae bastantes mejoras y un notable aumento de rendimiento con respecto a la actual DDR4; sin embargo, DDR5 y su homónimo más rápido GDDR no son realmente tan rápidos en comparación con el estándar HBM (High Bandwidth Memory, memoria de alto ancho de banda) que, según el CEO de SK Hynix, podría ser la base para una fusión natural entre CPU y memoria RAM.

La memoria HBM propiciará una fusión entre CPU y RAM

Durante el mencionado Simposio, el CEO de SK Hynix presentó su visión de un estándar de memoria mucho más rápido pero que requeriría una «convergencia de memoria y lógica», así que presentó una evolución más gradual partiendo de la base de HBM:

«A medida que se ha incrementado la velocidad en la memoria de gran ancho de banda al aumentar el número de canales entre la CPU y la memoria, la velocidad aumentará aún más utilizando PNM (Processing Near Memory), donde tanto la CPU como la memoria existen dentro del mismo módulo. La velocidad aumentará todavía más en su evolución, PIM (Processing In Memory), donde la CPU y la memoria están en el mismo die. En última instancia, la velocidad aumentará al máximo con CIM (Computing In Memory), donde tanto CPU como la memoria están en una sola matriz, brindando un sistema informático de alto rendimiento de verdad».

SK Hynix es actualmente el segundo fabricante de memoria más grande del mundo, pero no fabrica ningún otro tipo de chip, por lo que el CEO Lee pidió una colaboración entre los gigantes de semiconductores para poder crear un ecosistema que pueda sostener los nuevos híbridos de CPU + RAM. Dicho de otra manera, SK Hynix se ofrece a ser quien desarrolle la parte de memoria pero necesita que uno de los gigantes (Intel, Samsung, TSMC) ponga su parte relativa a la CPU.

CoWoS 12 chips

Lee también presentó un nuevo estándar llamado Compute Express Link (CXL) que podría complementar el bus PCI-Express. La memoria CXL es capaz de mover datos de manera rápida y más eficiente entre la CPU y los aceleradores gráficos / computación o interfaces de red inteligentes, y dijo que esta memoria CXL ya se está preparando como una solución que no solo expande el ancho de banda y la capacidad, sino que también es una memoria persistente si se quiere y representa una solución para reducir la brecha entre el rendimiento de la memoria y los requisitos de la industria.

Por último pero no menos importante, Lee también habló de los esfuerzos que se están realizando para mejorar los chips de memoria NAND Flash integrados en las soluciones de almacenamiento SSD. Con el salto a los nodos de 10 nm y menores, SK Hynix eventualmente podría llegar a producir chips NAND de 600 capas, lo que debería aumentar muchísimo la capacidad de almacenamiento y las velocidades de transferencia de datos sobre el límite actual de 176 capas.