Samsung fabrica DRAM EUV y adelanta a Micron, ¿llegarán para DDR5?

Si hay un sector que estaba pendiente de lanzar sus principales productos con tecnología EUV era el de la DRAM. Con TSMC acaparando escáneres e Intel intentando reservar el mayor número de ellos para sus nodos, empresas como Samsung se quedan un poco con las migajas para los suyos de DRAM y GPUs. Pero lo cierto es que ya disponen en producción de memorias con dicha tecnología, las cuales llegan como D1z, donde hay dos desarrollos vigentes, uno basado en ArF-i y el nombrado con EUV, superando así a Micron por el dominio mundial.

Aunque parezca mentira, tanto Samsung como Micron tienen como principal mercado en la actualidad a los smartphones, mucho más en el caso de la primera, puesto que también fabrican sus propios SoCs de alto rendimiento. El conseguir el mayor número de DRAM con EUV es un serio golpe a encajar por el perdedor, ya que hay una serie de mejoras claras que podrían decantar la balanza hacia el vencedor en cuanto a tecnología se refiere.

Samsung comienza su andadura en EUV con D1z como DRAM LPDDR5

SSD Samsung

No llegará, de momento, a PC por su mayor velocidad, consumos y latencias más contenidas, sin olvidar el volumen necesario, pero, sobre todo, porque la DDR5 todavía está lejos para ser la sustituta oficial de la DDR4 que tan buenos momentos nos ha dado. Por ello, la LPDDR5 sí que estaba lista para implementarse gracias a los nuevos controladores de DRAM para ARM y sus SoCs, así que dicho y hecho.

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Actualmente, encontramos dos chips distintos fabricados por la compañía coreana: LPDDR5 D1z de 12GB y D1z de 16GB, los cuales ya han sido vistos en los nuevos Samsung Galaxy S21 5G; S21 5G, S21 + 5G y S21 Ultra 5G. Lo primero que debemos de saber de estos nuevos chips D1z es que Samsung gana más con ellos gracias a que han conseguido aumentar la capacidad de fabricación frente a sus predecesoras en un 15%, fruto de los nuevos escáneres, pero ¿qué se consigue aparte de esto?

Menor tamaño, más densidad, pero la capacidad limita la aplicación

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La aplicación de la tecnología EUV se ha dejado notar en varios términos dentro de las DRAM. En primer lugar, el tamaño de los Die a mismo proceso litográfico se ha reducido de 53,53 mm2 hasta 43,98 mm2, o lo que es igual, se ha ganado un 18% de espacio en cada oblea, permitiendo la fabricación de mayor número de chips y en mayor proporción.

Además, la densidad ha aumentado considerablemente sin tener que cambiar el nodo per sé (hay una bajada propia el escáner), un anuncio magnífico que permite pasar de 0,224 Gb/mm2 hasta los 0,273 Gb/mm2. Lógicamente si tenemos un die más pequeño y una mayor densidad es porque el tamaño de la celda se tiene que ver reducido, como así es, ya que se pasa de 0,00231 picómetros cuadrados a 0,00197, modificando su D/R de 17,1 nm a 15,7 nm.

Para lograr esto, Samsung tuvo que esforzarse, añadiendo solo una máscara EUV al proceso, lo que mejoró notablemente el diseño de las celdas, así como su nitidez para el láser del escáner, haciendo patrones BLP mucho más perfectos.

La pregunta del millón sería, ¿cuándo va a implementar Samsung sus nuevos chips con EUV para el mercado de PC y servidores? Realmente dependerá de Intel y AMD en primer lugar. La compañía ha superado a Micron y se posiciona de nuevo como líder del mercado de DRAM, así que es posible que veamos un último empujón de DDR4 y sobre todo con GDDR6X en las GPUs con esta técnica de grabado antes que con DDR5, la cual debería ser una realidad ya en 2022 en PC.