Samsung pone fecha a sus SSD QLC y TLC de 96 capas y detalla sus mejoras

Escrito por Juan Diego de Usera

Durante el evento Samsung Tech Day, la compañía Samsung habló extensamente sobre los planes que tiene en funcionamiento para renovar su actual catálogo de unidades de almacenamiento sólido, que pasan por la introducción de los primeros SSD que emplean memoria 3D NAND Flash de 96 capas, así como la progresiva llegada al mercado de nuevas unidades, que irían dotadas de la más moderna memoria de tipo QLC.

El mercado de la memoria NAND Flash está en plena revolución. A la bajada sustancial de los precios de los dispositivos de almacenamiento que emplean este tipo de memoria, se están sumando ahora la llegada de nuevas tecnología que permiten aumentar el espacio de almacenamiento disponible dentro de cada chip. Hacer esto permite disminuir el número de chips de memoria NAND dentro de cada dispositivo, abaratando su producción.

La mayoría de las mejoras que Samsung va a introducir en sus nuevos SSD van a consistir, en su gran mayoría, en la actualización del tipo de chips NAND que emplean para su almacenamiento interno de los datos. Así, modelos como el PM981 y la línea 970 EVO, recibirán nueva memoria NAND, que les permitirá incrementar su tasa de transferencia de datos, especialmente en lo que respecta a la escritura de los mismos. Esto especialmente se verá claramente en los nuevos PM981a, que tendrán un incremento de rendimiento que los pondrá muy cerca de los actuales 970 EVO y 970 EVO Plus (que es como se llamarán los nuevos SSD de esa serie).

Samsung comenzará muy pronto a desplegar su memoria QLC

En esta misma conferencia, Samsung habló del despliegue de su nueva memoria QLC. Esta nueva memoria llevará el sufijo QVO en el nombre del producto, eliminando la denominación EVO que la marca había empleado hasta la fecha en las unidades de almacenamiento sólido que se producen para el mercado de consumo (que, de esta manera, se diferencias de las que van destinadas al mercado empresarial). Entre las nuevas unidades para el mercado de consumo que Samsung presentará (a su debido tiempo), el fabricante habló del Samsung 860 QVO (como unidad SATA en formato de 2,5 pulgadas) y del 980 QVO (como unidad NVMe sustituta de los actuales EVO).

A partir de la segunda mitad de 2019, el fabricante tiene previsto presentar un chip de 512 Gb con mayor rendimiento que el que tienen sus actuales chips de 1 Tb, sobre el cual Samsung afirmó que poseía unas latencias de lectura un 37%, y un 45% de latencias de programación inferiores a las de otro competidor.

Otro aspecto que se trató durante el Samsung Tech Day, era de la progresiva transición que realizará el fabricante desde su actual memoria V-NAND de 64 capas hacia la memoria de 96 capas. Este tipo de memoria NAND Flash será el que se emplee para sustituir a las líneas de producto actuales de SSD que están en el mercado.

Fuente > AnandTech

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  • Joan martinez serra

    Lo que tienen que hacer ya de una vez es sacar el PCI Express 4.0 …. que están ya a cuello de botella.

  • alxSoft

    96 capas TLC más equilibrado ente capacidad-durabilidad-rendimiento, en QLC, elimina las dos últimas variables

  • Inocencio

    Claro se financia con las rams 😱😱😱