El fabricante coreano Samsung ha presentado sus primeros y esperanzadores resultados sobre su nueva memoria Z-NAND. Esta memoria que ha desarrollado este fabricante completamente en solitario va más orientada a las grandes empresas de tratamiento de datos. Con la ventaja de no presentar todas las incompatibilidades que tiene la actual memoria Optane de Intel.
Todos sabemos que el lanzamiento de la memoria 3D XPoint por parte de Intel ha distado mucho de ser el revulsivo que se nos prometía. Al menos, a nivel de usuario de a pie. Sin embargo, es innegable que este tipo de memoria, fabricada en conjunción por Intel y Micron, Puede hacer mucho más en el plano empresarial que en el de escritorio.
Al fin y al cabo, de todos es bien conocido que donde mayor volumen de datos se mueven es en dicho ámbito. Y es en él donde la fulgurante capacidad de realizar operaciones IOPs de la Intel Optane, realmente nos va a traer un beneficio palpable.
Sin embargo, un «problemilla» que presenta esta nueva memoria es que solo es compatible con ciertas placas base y con ciertos procesadores de Intel. Esto hace que el potencial número de clientes que puedan acceder a ella se reduzca drásticamente. Y más ahora en que Intel ya no es la única opción disponible dentro del mercado de procesadores de altas prestaciones.
La memoria Z-NAND de Samsung no contará con las incompatibilidad de la Intel Optane
Seguro que más de uno se está preguntando qué demonios es la memoria Z-NAND. Pues no se trata de otra cosa que memoria NAND de tipo SLC (Single Layer Cell), a la que se le ha dado otra vuelta de tuerca en el diseño interno y en sus controladores. Con el objetivo final de aumentar mucho el rendimiento en operaciones IOPs tanto de escritura como de lectura secuencial.
La memoria SLC se ha empleado con mucho frecuencia en el mercado de unidades de almacenamiento sólido en el pasado. Pero, cuando hablo del pasado, estoy hablando de los orígenes de los SSDs en el mercado. Actualmente, este tipo de memoria ha dejado paso a otras que son capaces de almacenar más datos en menos espacio físico, como las MLC o las TLC NAND.
Sin embargo, si comparamos el Intel Optane P4800X de 750 GB con el próximo Samsung SZ985 de 800 GB, la unidad de Samsung ofrece mayores IOPS de lectura aleatoria que la del Intel Optane (750K frente a 550K). Pero no logra superar los IOPS en escritura (175K frente a los mismos 550K para Optane). Sin embargo, el ancho de banda de escritura y lectura parece estar a favor de Z-NAND. Entrega 3,2 GB/s en ambas métricas. Mientras que Optane P4800X lo hace con 2,4 GB/s y 2 GB/s, respectivamente. Por no contar que la durabilidad entre ambas tecnologías debería ser equivalente.