Toshiba empieza a producir samples de su memoria 3D NAND de 64 capas

Escrito por Juan Diego de Usera

Toshiba Corporation ha anunciado hoy que ha comenzado a producir y a enviar los primeros samples de su nueva memoria 3D NAND BiCS FLASH apilada que consta de 64 capas en cada chip. En este caso particular, los samples corresponden a los chips de 512 Gb de capacidad, o lo que es lo mismo, a 64 GB de capacidad de almacenamiento. Estos primeros samples, que están saliendo de la cadena antes de lo que había anticipado la marca, es muy probable que le den un buen impulso al negocio de memorias del fabricante japonés, que tan perjudicado por los errores económicos se ha visto este pasado año 2016.

Uno de los principales problemas a los que se enfrentan los fabricantes de chips de memoria actualmente es que la continua disminución del tamaño de los nodos de fabricación está haciendo cada vez más complicado el emplear el método planar para la creación de la memoria, dado que prácticamente no deja espacio físico para la propia memoria. Enfrentada con este problema Toshiba optó por una solución muy ingeniosa consistente en apilar los chips de memoria NAND uno encima de otro (en lugar de hacerlo de manera secuencial, uno al lado de otro como se había hecho hasta ese momento), consiguiendo de esta manera crear chips de memoria más pequeños físicamente hablando pero con mucha mayor capacidad de almacenaje interno.

Toshiba ya había producido con anterioridad chips de memoria de 64 capas pero hasta el momento estaba limitada a una capacidad de 256 Gb (32 GB, por eso cada vez son más comunes los móviles que tienen 32 GB de almacenamiento interno), pero los nuevos chips de 512 Gb van a permitir se fabrican utilizando un nuevo proceso de producción de la memoria BiCS 3D NAND que augura la llegada de chips de mucha mayor densidad a todo tipo de dispositivos, tanto móviles y tabletas, así como memorias USB extraibles, como dispositivos relacionados con el Internet de las Cosas (IoT).

El sigueinte objetivo que espera alcanzar la compañía es la fabricación del primer dispositivo con 1 TB de almacenamiento interno utilizando tan solo 16 de sus nuevos chips de meoria, los cuales tienen un 65% mayor capacidad de almacenamiento por chip frente a los anteriores de 48 capas y, a consecuencia de esto y de su menor tamaño, ha incrementado el número de chips de memoria por cada oblea, abaratando sensiblemente los costes de producción.

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