TSMC comenzará la producción en pruebas de 7 nm en 2017

Escrito por Juan Diego de Usera

La industria del silicio no es nada sin las foundries que producen los cerebros para casi todo impulsado por la tecnología, por lo que el progreso de estas fábricas de en términos de tecnología y el horario es de inmensa importancia para los entusiastas. Acabamos de recibir la noticia que TSMC, una de las principales foundries de tipo pure-play, estará listo para tomar pedidos de productos en el nodo 7 nm en Abril de 2017.

En un evento interno, informes de la TSMC Research Unit han puesto de manifiesto la hoja de ruta de la compañía para los próximos años. De acuerdo con los ejecutivos de alto nivel, la compañía hará el cambio a la tecnología de proceso de 10 nm a finales de este año y comenzará la producción en prueba del nuevo nodo de 7 nm en 2017. El nodo de 16 nm de FFC (una versión mucho más refinada del 16 nm FF+ con el que se están fabricando las actuales tarjetas gráficas Nvidia de núcleo Pascal) también comenzará su producción durante este año. El proceso de 7 nm permitirá que  ofrecer chips con una eficiencia mucho mayor de energía con los valores de la tensión de umbral de tan solo 0.4V. También se espera que la temperatura máxima de funcionamiento de estos chips se acabe situando en alrededor de los 150 grados.

TSMC Fab 14 01

El proceso basado en 10 nm FinFET será capaz de proporcionar una reducción del 50% en el tamaño del chip en comparación con el nodo de 16 nm FF+, así como un aumento del 50% en el rendimiento o una disminución del 40% en el consumo de energía (la diferencia 10% es debido a cómo escala la eficiencia de la energía a través de los relojes). El próximo nodo de 7 nm, por otro lado, (presumiblemente con FinFETs) ofrecerá un aumento de rendimiento de alrededor del 15% o una disminución en el consumo de energía del 35%. La densidad de transistor, sin embargo, se incrementará en 163%. Este salto no es tan impresionante como el salto a 10 nm, porque como ya se ha comentado en otras ocasiones, hay una diferencia entre el proceso comercializado de las foundries y el proceso físico real. Muy a grandes rasgos, el proceso de 10nm FinFET sería equivalente al actual proceso de 14nm de Intel y el proceso de 7 nm debe ser igual, a grandes rasgos, al actual proceso de 10 nm de Intel.

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