Samsung anuncia sus nuevos chips V-NAND y SSDs de hasta 32 TB

Escrito por Rodrigo Alonso
Discos Duros
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Samsung ha anunciado en el Flash Memory Summit 2016 su cuarta generación de memoria 3D V-NAND Flash. Éstos nuevos chips de memoria de disposición vertical cuentan con hasta 64 capas, lo que significa que cada chip cuenta con una capacidad de hasta 512 Gigabits. El fabricante también ha anunciado que se utilizarán en su próxima generación de SSDs que alcanzarán hasta 32 TB de capacidad en formato de 2,5 pulgadas.

La anterior generación de memoria V-NAND de Samsung contaba con 48 capas por chip, por lo que la capacidad máxima de éstos era de 256 GB. Por poner un ejemplo, éstos chips de tercera generación se han utilizado en las versiones de 4 TB de los SSDs Samsung 850 EVO. Con la llegada de la cuarta generación, se ha incrementado el número de capas a 64, incrementando notablemente la capacidad máxima por chip, ocupando el mismo espacio.

Samsung SSD PCIe

En el último trimestre de éste año veremos los primeros productos basados en ésta cuarta generación de memoria V-NAND de Samsung, que teóricamente podría presentar dispositivos de estado sólido en formato M.2 con hasta 8 TB de capacidad gracias a ésta, si bien el fabricante no ha dicho nada al respecto.

Por otro lado, el fabricante coreano también ha anunciado sus próximos SSDs orientados a empresas, con hasta 32 TB de capacidad en una única unidad de 2.5 pulgadas. Con interfaz SAS, éstos dispositivos que llegarán al mercado en 2017 contarán con dieciséis capas de chips de 512 Gigabits, lo que aunados hacen posible los 32 TB de capacidad total.

Todavía sin nombre, éstos próximos SSDs seguramente se postulen como sustitutos de los actuales PM1533 de 15,36 TB que actualmente tienen en el mercado, aunque todavía no han dicho nada al respecto. Según Samsung, para el año 2020 ya tendrán disponibles SSDs de hasta 100 TB de capacidad en el mismo formato.

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