Samsung Electronics ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de los chips de memoria DDR4 más avanzados hasta la fecha. Con una capacidad de 8 Gb (Gigabits) por chip y 32 GB (Gigabytes) por módulo, ambos con proceso de fabricación a 20 nanómetros, en un principio estos chips están pensados para servidores empresariales, pero no tardarán en extrapolarse al ámbito de usuario.
«Nuestros nuevos chips DDR4 de 8 Gb a 20 nm cumplen de sobra los requerimientos de alto rendimiento, alta densidad y eficiencia energética que se necesitan en los servidores empresariales de próxima generación», comenzó diciendo Jeeho Baek, Vice Presidente de la división de memoria de Samsung, «Expandiendo nuestras líneas de producción de 20 nanómetros, somos capaces de proporcionar productos DRAM de alta densidad de categoría Premium, a la vez de ser capaces de cumplir con la creciente demanda de este tipo de productos».
Con estos nuevos chips DDR4 de 8 Gb (Gigabits), Samsung puede ahora ofrecer una extensa línea de productos fabricados a 20 nanómetros que incluyen desde memorias DDR3 de 4 Gb para ordenadores de sobremesa y memorias DDR3 de 6 Gb LPDDR3 para dispositivos móviles, hasta memorias DDR4 del más alto rendimiento para servidores.
La producción de estos chips DDR4 de 8 Gb a 20 nm ha supuesto para Samsung el comienzo de la producción de módulos de memoria de 32 GB RDIMM (registered dual in-line memory) a primeros de mes. La velocidad de transferencia de estos módulos de memoria alcanza los 2.400 Mbps (Megabits por segundo), lo que supone aproximadamente un 29% de incremento de rendimiento comparado con los anteriores módulos de memoria DDR3 para servidores.