Samsung ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de los primeros chips MLC (Multi Level Cell) 3D V-NAND (Vertical NAND) de 3 bits de la industria para su uso en dispositivos de estado sólido (SSDs). Cada uno de estos chips NAND utiliza 32 células apiladas verticalmente, proporcionando 128 Gb (Gigabits) de almacenamiento.
«Con la adición de esta nueva línea de SSDs de alta densidad, enfocada tanto al rendimiento como al coste, creemos que los chips de 3 bits 3D V-NAND acelerarán la transición de dispositivos de almacenamiento «convencionales», los discos duros mecánicos, hacia los SSDs» dijo Jaesoo Han, vice presidente de la división de memoria de Samsung. «Cuanto más amplia sea la variedad de SSDs en el mercado, más se incrementará nuestra capacidad de ser competitivos ya que no paramos de expandir cada vez más nuestro catálogo de SSDs».
Utilizar los nuevos chips de 3 bits por célula y 32 capas verticales también incrementa la velocidad y facilidad de producción en masa. Comparado con los chips NAND Flash de 3 bits «planos» de Samsung, estos nuevos chips V-NAND tienen una eficiencia de aproximadamente el doble por cada oblea.
De esta noticia, nosotros personalmente sacamos dos conclusiones. La primera es que hay que reconocer que Samsung está trabajando mucho y muy duro en este negocio, siendo pioneros en la mayoría de tecnologías referentes a la producción de chips de memoria (sin ir más lejos, fueron los primeros en presentar chips V-NAND de 24 celdas en Agosto de 2013, y también los primeros en llegar a las 32 capas en Mayo de este año). La segunda conclusión está en las declaraciones de Jaesoo Han: Samsung va a por los discos duros mecánicos.
¿Llegaremos a ver, gracias a esta tecnología, SSDs de 2 TB por 100 euros, rango de capacidad / precio actual de los discos duros mecánicos? No cabe duda de que es lo que les falta a los SSDs para sustituir a los discos mecánicos de manera definitiva.