Samsung comienza a producir memorias DDR3 4G con tecnología de 20 nm

Escrito por Guillermo de Ángel

Samsung Electronics ha anunciado la producción en masa de memorias DDR3 avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, y que serán utilizadas en una amplia gama de aplicaciones. Utilizando la litografía de inmersión ArE actual en sus nuevas memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.

En una memoria DRAM, cada celda cuenta con un condensador y un transistor conectados entre sí, por lo que el escalado es más difícil que con una memoria NAND Flash en la que una celda solo necesita un transistor. Para continuar escalando el DRAM más avanzado, Samsung ha adaptado su diseño y fabricación de tecnologías y viene con un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.

La tecnología modificada de doble patrón de Samsung permite la producción de DDR de 20nm utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología core para la próxima generación de memorias RAM de próxima generación de 10-20 nanómetros. Con la nueva DRAM DDR3 de 20nm, la compañía también ha mejorado la productividad de fabricación, que es un 30% mayor que la anterior DDR de 25 nanómetro, y más del doble que las DDR de 30-40 nm.

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Los nuevos módulos basados en DDR3 4G 20nm, permiten ahorrar hasta el 25% de energía consumida por módulos equivalente fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros.

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