Samsung comienza a producir en masa chips de 4Gb DDR3 en 20 nanómetros

Escrito por Rodrigo Alonso
Memorias RAM
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Samsung ha anunciado hoy que ha comenzado a fabricar en masa los chips de memoria DDR3 más avanzados hasta la fecha, basados en la tecnología de proceso de fabricación en 20 nanómetros. Con este anuncio de los chips de memoria DDR3 de 4 Gb (Gigabits) fabricados en 20nm, Samsung demuestra que sigue empujando en el desarrollo de la actual litografía ArF.

En la memoria DRAM, cada celda consiste en un condensador y un transistor conectados entre sí,  y el escalado entre celdas es más difícil que con la memoria NAND Flash donde cada celda solo necesita un transistor. Para seguir escalando para crear DRAM más avanzada, Samsung ha refinado su diseño y la tecnología de fabricación logrando un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.

Samsung DDR3 20nm

Habiendo logrado modificar la tecnología de patrón doble, Samsung crea un nuevo hito dado que permite la producción de memoria DDR3 en 20 nanómetros utilizando los equipos de litografía actuales, y abriendo las puertas para la fabricación de memoria RAM de próxima generación en 10 nanómetros. Samsung también ha creado satisfactoriamente capaz ultra delgadas dieléctricas de condensadores con una uniformidad sin precedentes, lo que ha resultado en un mayor rendimiento de cada celda.

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