Hynix también anuncia sus chips de memoria LPDDR4 de 8 Gb

Escrito por José Antonio García
Memorias RAM
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Hace un par de días os hablábamos del anuncio de los primeros chips de memoria DDR4 de bajo voltaje de 8 Gb de Samsung. Hoy os traemos a otro fabricante que también ha anunciado que está desarrollando chips de memoria LPDDR4 de 8 Gb de capacidad, Hynix. La llegada de los primeros chips de memoria LPDDR4 permitirá a los fabricantes mejorar las características de sus dispositivos móviles.

Hynix, uno de los mayores fabricantes de memoria RAM del mundo, ha comunicado que desarrollado el primer chip de memoria LPDDR4 (low power DDR4) de 8 Gbits de capacidad usando el proceso de fabricación a 20 nm. Esta nueva generación de chips de memoria reduce el consumo respecto a la anterior generación (LPDDR3) y aumenta la velocidad de transferencia. Los chips de memoria LPDDR3 tienen unas tasas de transferencia de unos 1.600 Mbps y su voltaje de funcionamiento es de 1.2 V, estos chips de memoria LPDDR4 que ha anunciado Hynix tienen en doble de velocidad de transferencia, 3.200 Mbps y su voltaje es de 1.1 V.SK Hynix LPDDR4

Hynix quiere seguir estando a la vanguardia en este sector y este lanzamiento se une a los que ya realizó anteriormente, primeros en lanzar los chips de memoria LPDDR3 de 8 y 6 Gb de capacidad. Se espera que estos chips de memoria lleguen a los primeros dispositivos de gama alta a finales de este año recién comenzado.

Tanto Hynix como Samsung han anunciado que sus chips LPDDR4 de 8 Gb son los primeros del mundo y aunque han afirmado que no han colaborado conjuntamente para el desarrollo de esta nueva generación de chips, ambos fabricantes llegaron a un acuerdo de colaboración el pasado verano que podría indicar lo contrario.

Vía: TechPowerUp.

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