G.Skill mostrará sus memorias de próxima generación en el IDF

Escrito por Rodrigo Alonso
Memorias RAM
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G.Skill asistirá al próximo Intel Developers Forum (IDF) que se celebrará en San Francisco del 10 al 12 de Septiembre y mostrará las novedades que ha cosechado durante este año con respecto a la memoria DDR3 y DDR4.

G.Skill mostrará para empezar las mejoras que ha logrado obtener con respecto a la memoria DDR3, donde ha logrado alcanzar la máxima frecuencia y capacidad para la nueva generación de procesadores Intel Core i7 de plataforma LGA2011. También mostrará sus planes con respecto a la siguiente generación de memorias RAM, la DDR4.

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“Ya que esta será la primera vez que asistamos al Intel Developers Forum, estamos muy entusiasmados por poder presentar nuestra memoria DDR3 quad-channel de alto rendimiento, pero no nos quedaremos ahí sino que también anunciaremos nuestros planes con respecto a la memoria DDR4”. Dijo Mark Yu, director de márketing técnico de G.Skill.

Recordemos que G.Skill es uno de los fabricantes con más récords del mundo de velocidad de memoria RAM, así que será realmente interesante conocer qué tiene planeado con respecto a la próxima generación de memorias RAM DDR4, así como por supuesto conocer cuáles son los módulos de memoria de más alto rendimiento que la marca es capaz de producir, que será el punto más importante de su presentación en el IDF.

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