SK hynix ya tiene chips DRAM DDR4 1Z nm de 16 Gb, con un 40% menos de consumo

El fabricante de productos de memoria SK hynix ha anunciado hoy que ha finalizado con éxito el desarrollo de los primeros chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb (Gigabit) bajo su nodo de fabricación 1Z nm, lo que supone no solo la creación de los chips de mayor densidad del mercado, sino también los que más capacidad tienen por oblea de fabricación.

1Z nm consume un 40% menos que 1Y nm y es más rápido

Una de las principales mejoras de esta litografía es que ya no se necesita la carísima litografía EUV (Extreme Ultra Violet) para la fabricación de los chips, lo que significa que se reducen los costes de fabricación en gran medida. De hecho, SK hynix ha dicho que la productividad con este nuevo nodo es un 27% mayor. Traducido a términos que nos atañen, esto significa que habrá más chips y que serán más baratos.

Otra de las mejoras es el aumento de velocidad. La DRAM fabricada con 1Z nm soporta una tasa de transferencia de 3200 Mbps, la más rápida hasta la fecha para la interfaz DDR4. De igual manera, la compañía ha incrementado notablemente la eficiencia energética, reduciendo su consumo hasta en un 40% comparado con la misma densidad que tenían con chips de 8 Gb bajo el nodo 1Y nm.

Módulos DDR4 de SK Hynix fabricados con 1Z nm

En particular, SK hynix ha logrado este hito gracias a la aplicación de una nueva sustancia durante el proceso de fabricación, que maximiza la capacidad energética de los chips. Esta capacidad energética también se conoce como capacitancia, que es la cantidad de carga eléctrica que un condensador puede almacenar, es sumamente importante en los chips DRAM, y gracias a esta nueva sustancia y al nuevo diseño que también han implementado, se ha logrado reducir mucho el consumo. No han especificado, no obstante, si esto afectará al voltaje necesario para su funcionamiento.

«La tecnología 1Z nm DDR4 supone la mayor densidad, velocidad y eficiencia energética del mercado, lo que significa que hemos creado el mejor producto para cumplir con todas las necesidades de nuestros clientes, que buscan la memoria DRAM de mayor rendimiento y densidad», explica Lee Junh-hoon, director de desarrollo de negocio de SK hynix, «Comenzaremos con la producción en masa el año que viene para responder de manera activa a las demandas del mercado».

¿En qué afecta esto al consumidor?

Por lo pronto, SK hynix ha afirmado que la tecnología 1Z nm se utilizará también para fabricar la próxima generación de DRAM para móviles, LPDDR5, así como para la nueva memoria gráfica HBM3, que está destinada a ser la más rápida hasta la fecha. Esto significa que ambos productos contarán con memorias más rápidas y de menor consumo.

No hay previsión de que la compañía utilice esta tecnología 1Z nm en ningún producto de la actual generación, así que la manera en la que este anuncio afectará al consumidor será en productos de próximas generaciones. En cualquier caso, productos más baratos, de mayor capacidad, más rápidos y que consumen menos siempre es una buena noticia, y para eso se realizan los desarrollos y las inversiones en I+D, ¿no?