La semana pasada ya vimos los primeros detalles de la nueva revolución que va a llegar tanto a PCs como a servidores de todo el mundo. Hablamos por supuesto de la memoria RAM DDR5, la cual de la mano de SK Hynix en este caso ofrecerá unas velocidades muy superiores a lo que podíamos esperar en un principio y además, a un voltaje inferior al visto hasta ahora. Las velocidades partirán desde los 3200 MT/s y llegarán a la asombrosa cifra de ¡8400 MT/s!
El aumento de potencia que van a sufrir los procesadores en los próximos años solo será comparable al que ofrecieron en su momento a principios de este siglo. Y es que se está acelerando hacia procesos litográficos mucho más avanzados que van a traer, aparte de las mejoras de la propia arquitectura, un aumento del número de núcleos bastante importante.
Por lo tanto, la cantidad de información a manejar y trabajar será muy alta, así que la memoria RAM debe estar a la altura, así como los IMC. En este último no sabemos cómo lo gestionarán tanto Intel como AMD y sobre todo a que ritmo, pero lo que sí podemos estar seguros es lo que tiene preparado SK Hynix para esta nueva revolución.
Más velocidad, mayor capacidad y menor voltaje: así ve Hynix la DDR5
Aparte de las citadas mejoras, SK Hynix introducirá según fija el estándar del JEDEC una nueva mejora que permitirá asegurar los datos: ECC. Según han comentado, han estado trabajando en sus módulos DDR5-6400, los cuales llegarían al mercado en una configuración simple de 16 GB.
La diferencia con los módulos actuales en cuanto a rendimiento no solo se trata de la diferencia de velocidad pura que van a adquirir, sino del número de bancos que es capaz de albergar la nueva DDR5 frente a la DDR4 actual.
Y es que pasamos de 16 bancos con cuatro grupos de bancos a 32 y 8 respectivamente, es decir, se duplica la longitud de ráfaga y con ello el rendimiento.
Esto además tiene otro efecto que DDR4 no puede lograr, y es la actualización del banco cuando está siendo utilizado, es decir, hasta ahora el sistema no permitía usar otros bancos mientras uno estaba siendo actualizado, cosa que con DDR5 sí se podrá hacer y con ello se mejora la disponibilidad de acceso a la memoria.
Más eficiente, más segura y ¿más barata?
Como hemos dicho, SK Hynix ve la DDR5 con una perspectiva bastante amplia, y es que llegará con su nuevo proceso litográfico de 10 nm en segunda generación, lo que supone de nuevo reducción de costes de fabricación. Además, a esto hay que sumarle dos ventajas cruciales e inherentes a la propia arquitectura de la DDR5 como memoria: ECC y ECS.
La corrección de errores y la comprobación y eliminación de errores llegará a este tipo de memoria y a cada matriz, de manera que se espera que la detección de errores y defectos sea crucial para bajar los costes finales antes de que cada módulo salga de la fábrica, lo que reduciría enormemente el número de módulos defectuosos y por consiguiente los RMA.
Además, los módulos de alta velocidad traerán un nuevo diseño y característica llamada DFE, el cual eliminará el jitter y ruido reflectante cuando se active dichas velocidades, como la nombrada DDR5-8400. Lo que se intenta es mantener la estabilidad y seguridad de los datos al aumentar la velocidad por pin.
La capacidad total también se verá mejorada, ya que tendremos hasta 64 GB por módulo, donde independientemente de la capacidad todas llegarán con un voltaje de 1.1V. Suponemos que este valor cambiará según se aumente la velocidad o se baje sus latencias. En cuanto a este último apartado, las latencias, no se ha especificado de momento nada, pero como siempre será una serie de parámetros muy a tener en cuenta.
Además, este tipo de memoria no solo llegará a PC y servidores, sino que se integrará en móviles, automóviles, routers y un sin fin de dispositivos que forman parte de la cuarta revolución industrial en la que estamos inmersos con el IoT.
