El sucesor de la eFlash ya está aquí y por lo que Samsung dijo ayer sus fábricas están completamente listas para la producción en masa del nuevo tipo de memoria, llamada eMRAM. Dicha memoria tiene una serie de ventajas muy interesantes desde el punto de vista del usuario y el mercado, ya que son más rápidas, consumen menos y cuestan menos de fabricar.
eFlash llegó al final de su vida útil con importantes cuellos de botella
Los dispositivos actuales son cada vez más potentes, y aunque es cierto que los saltos de rendimiento no están siendo lo más destacable de tecnologías como smartphones o dispositivos IoT, si es reseñable que las eFlash no han estado a la altura de estos pequeños aumentos.
Por ello, en ciertos dispositivos se apreció ciertos cuellos de botella con este tipo de memorias desde hace algo más de un año, por lo que el uso de un nuevo tipo de memoria era y es necesario.
Aquí entra Samsung a escena con eMRAM, el sucesor más prometedor que ha acabado por convertirse en un predecesor debido a sus mejoras desde que se presentó hasta ahora.
eMRAM o memoria de acceso aleatorio magnética integrada
Este tipo de memoria será lanzada por Samsung en un proceso litográfico de segundo nivel, como son sus 28 nm SOI, también llamados 28 FDS.
Las principales características de la eMRAM de Samsung son la no volatilidad, el acceso aleatorio y la gran resistencia que posee, aparte por supuesto de su gran escalabilidad.
Y es que la eMRAM no requiere de un ciclo de borrado previo para poder escribir datos, permitiendo con ello que el rendimiento se incremente al necesita un ciclo menos de reloj que las eFlash actuales.
Tanto es así que Samsung asegura que su velocidad de escritura es aproximadamente 1000 veces más rápida que eFlash.
Menor voltaje, menor consumo de energía y mayor resistencia
Sin duda parece que la eMRAM será un paso adelante en rendimiento, pero ¿qué hay de la temperatura, consumo y resistencia?
Según Samsung, eMRAM usa voltajes más bajos que eFlash, no consume energía cuando está apagado el dispositivo que la porta, mejorando la eficiencia energética y aportando una mayor resistencia al deterioro con el paso de los ciclos.
Por si fuera poco, Samsung puede controlar el costo de la eMRAM en gran medida, ya que puede integrarse fácilmente en procesos de fabricación de chips lógicos existentes, agregando para ello algunas capas al final del proceso para completar el proceso de fabricación.
Es claramente un diseño modular, el cual le permite disfrutar de ventajas en cuanto a costos de procesos de fabricación frente a alternativas similares, otro aspecto por el que ha sido seleccionada como opción para los dispositivos señalados.
Además, Samsung ha indicado que ampliará su selección de soluciones de memoria no volátil de alta densidad este año, incluido los chips de 1 GB para eMRAM, dato que ha replicado Intel hace escasos días, anunciando que también está preparada para comenzar la producción en masa de su eMRAM.
Es más que predecible que los precios comiencen a caer ante la avalancha que se avecina con este nuevo tipo de memorias, ya que muchos fabricantes están tras ella con distintos procesos litográficos en vigor.
