El nuevo chip de 1 TB de Samsung para móviles es el doble de rápido que tu SSD
El fabricante de soluciones de almacenamiento, Samsung, acaba de presentar sus nuevos chips de memoria eUFS (embedded Universal Flash Storage) 2.1 con una capacidad interna de 1 TB. Estos nuevos chips de memoria NAND Flash del fabricante sustituyen, y superan, a los actuales chips eUFS 2.1 que poseían una capacidad de 512 GB. Y decimos que los superan porque los nuevos chips eUFS 2.1 son los más rápidos que han llegado al mercado hasta la fecha, de este fabricante.
A diferencia de la memoria de tipo eMMC (embedded MutiMedia Controller), la memoria eUFS que fabrica Samsung, siempre ha sido mucho más rápida en todos los aspectos: tanto en lectura y escritura secuencial, como en operaciones aleatorias. Incluso los primeros modelos de memorias eUFS, que llegaron al mercado en el año 2015, ya eran bastante más rápidos que la memoria eMMC más rápida que hay en la actualidad. La nueva memoria eUFS 2.1 de Samsung cuadruplica los valores de las velocidades del otro tipo de memoria.
Aunque, más que las velocidades que este tipo de memoria es capaz de alcanzar, lo realmente impresionante de estos nuevos chips de memoria NAND Flash, sea el hecho de haber conseguido alcanzar una capacidad de hasta 1 TB de almacenamiento interno. De hecho, es bastante probable que sea este tipo de memoria de almacenamiento el que Samsung use en su nuevo buque insignia, el Samsung Galaxy S10 Plus cuando lo saque al mercado.
La memoria eUFS de Samsung alcanzaría hasta 1.000 MB/s de tasa de transferencia de archivos
Como podéis ver en la anterior tabla comparativa, desde el año 2017, la memoria eUFS 2.1 fabricada por Samsung tiene unas prestaciones superiores a las que puede tener hoy en día un SSD normal. Especialmente, en lo que respecta a la lectura secuencial, que es tremendamente superior a las tasas de transferencia de un SSD SATA habitual. De hecho, esta tasa de transferencia es similar a las de un SSD NVMe PCIe x2. Sin embargo, las tasas de transferencia en cuanto a escritura son bastante inferiores que las de lectura secuencial.
La nueva memoria eUFS 2.1 de 1 TB de Samsung está fabricada con la memoria V-NAND Flash que la marca suele emplear para sus dispositivos de almacenamiento sólido. Para realizarla, la empresa ha juntado dos pilas de 16 capas de memoria V-NAND en un solo paquete. También ha desarrollado un nuevo controlador de memoria, propietario para su nueva NAND Flash eUFS. De hecho, Samsung tiene en sus planes la ampliación de la capacidad de producción de su planta de Pyeongtaek, donde se fabrica la memoria V-NAND Flash de 512 GB, para acomodar la producción de la nueva memoria de 1 TB.
