Los primeros chips a 10 nm de Intel son 3D NAND de 64 capas

Escrito por Rodrigo Alonso

La memoria no volátil es, generalmente, la primera elección de los fabricantes a la hora de cambiar de nodo de fabricación dado su bajo riesgo a la hora de desarrollarlo (y bajo coste en comparación con los procesadores, pues tienen una complicación mucho menor). Es el caso de Intel, quien ha anunciado que su primer chip a 10 nm no será de un procesador sino de memoria NAND flash.

Con el nuevo proceso a 10 nanómetros, Intel introduce la tecnología FinFET Hyper Scaling, con la que incrementará la densidad de transistores en un 2.7X frente a la densidad que esperaríamos normalmente en el proceso de 10 nm. El primer chip 3D NAND de 64 capas fabricado a 10 nm por Intel contará, por lo tanto, con una elevadísima densidad de transistores y, al mismo tiempo, contará con todos los beneficios asociados a la bajada de litografía, es decir, contará como poco con un mejor rendimiento y mejor eficiencia energética. Ahora bien, habrá que tener en cuenta que muy probablemente las primeras hornadas de SSDs equipados con estos chips serán demasiado caros, y enfocados al entorno empresarial.

El primer chip a 10 nm de Intel no será para procesador

Claro, es que cuando hablamos de Intel automáticamente todos los aficionados al hardware pensamos en procesadores (máxime cuando hace poco hablaron del nodo FPGA a 10 nm), pero el espectro de productos que maneja el gigante tecnológico es mucho más amplio que eso. Como comentábamos al principio, casi todos los fabricantes que cuentan con sus propios nodos de fabricación suelen comenzar con memoria NAND, puesto que es bastante más sencilla y menos costosa de fabricar que un chip de procesador, bastante más complicado y caro de hacer.

Por supuesto el lanzamiento de éstos chips 3D NAND Flash de 64 capas a 10 nm serán el precedente, la antesala para que Intel pase a utilizar esta misma litografía para fabricar su próxima generación de procesadores, la novena, que teóricamente ya llegará con un nuevo proceso de fabricación a 10 nanómetros.

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  • Juan Cruz Coronel

    Son transistores las celdas de los chips NAND?

  • fusionero

    Veamos si se entiende lo que dices…

    Con el nuevo proceso a 10 nanómetros, Intel introduce la tecnología FinFET Hyper Scaling, con la que incrementará la densidad de transistores en un 2.7X frente a la densidad que esperaríamos normalmente en el proceso de 10 nm

    Y si usamos la cabeza, la gráfica de intel que mostró, pues parece que no tienes ni idea de que hablas Rodrigo Alonso, y te digo lo más simple posible donde metes la pata…la gráfica que comparte Intel muestrabla mejora en cada paso al reducir los tamaños del transistor, por tanto solo mirandobla gráfica se sabe de sobra que ese 2,7x del que hablas, no es entre la tecnología de 10 nanómetros, y la de 10 nanómetros…entiendes hasta aquí? Pues ese 2,7x es la mejora de los 14 nanómetros a los 10 nanómetros, esa es la realidad, y no la que te has montado tú.

    Solo para dejar claro si sabes de lo que hablo, ¿que pesa más 1 kilo de hierro o 1 kilo de paja? Pesan lo mismo, pues lo mismo sucede en el tamaño, 1 metro de cuerda es lo mismo que 1 metro de manguera, es la medida, indica igualdad, no superioridad o inferioridad, ya que si es mismo número, no cambia nada, sigue siendo el mismo tamaño, pero al reducir de 14 a 10 nanómetros se pueden poner 2,7 veces los transistores que en 14 nanómetros, por tanto, si caben 100 millones a 14 nanómetros, pasa a poder ofrecerse 270 millones en 10 nanómetros. Si, así de sencillo, no le busques 3 patas al gato, que tiene las 4.