Samsung actualiza su proceso FinFET a 10 nm y ya piensa en los 6 nm

Escrito por Rodrigo Alonso

Es bien sabido que en Samsung recaen muchas de las esperanzas de la industria para continuar avanzando en cuanto a la litografía de los procesos de fabricación, y la verdad es que el fabricante coreano se está afanando en sus esfuerzos para ello. Ahora el gigante ha confirmado que ya han comenzado a fabricar obleas a 10 nanómetros con su nuevo proceso FinFET, y de igual manera, han mencionado los 8 e incluso los 6 nanómetros en su anuncio.

Samsung ya ha distribuido más de 70.000 obleas de silicio de su primera generación 10 nm LPE (Low Power Early) hasta la fecha. La compañía, que comenzó a distribuir éstos chips en Octubre del año pasado, es pionera como bien sabréis. Si echamos la vista atrás a 2015, fue éste mismo fabricante el que introdujo en la industria los primeros chips de 14 nanómetros FinFET LPE para aplicaciones móviles, basados en la estructura 3D FinFET. Desde entonces, Samsung ha logrado introducir sendas mejoras en cuanto a potencia, rendimiento y escalabilidad para ambos procesos de fabricación.

Así lo ha hecho ver Jongshik Yoon, vicepresidente ejecutivo de la compañía, en sus declaraciones que a continuación transcribimos traducidas: “El proceso 10nm LPE cambiará las reglas del juego en la industria. Siguiento a la versión 10 LPE, las 10 nm LPP y LPU entrarán en producción en masa a finales de año y principios del que viene, respectivamente, y continuaremos ofreciendo los procesos de fabricación más competitivos de la industria”.

También han anunciado la adición de los procesos de fabricación a 8 nm y 6 nm en su calendario de procesos. Ambos ofrecerán una mayor escalabilidad, eficiencia y rendimiento en comparación con los procesos de fabricación existentes, añadiendo todas las innovaciones existentes en los procesos de 10 y 7 nanómetros pero con mejoras de diseño y eficiencia, cumpliendo con todas las posibles expectativas que cualquier tipo de consumidor pueda tener.

Por el momento, Samsung no ha anunciado fechas concretas. Ésta nota es para anunciar simplemente que continúan avanzando en su proceso de fabricación FinFET de 10 nanómetros y que pretenden lanzar nuevas revisiones de éste a finales de éste año y principios del que viene. Ahora bien, en cuanto a los procesos a 6 y 8 nanómetros, no han anunciado nada más allá de su adición al calendario, pero no han dado previsión de fechas alguna.

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  • Alex

    cuando lleguen a 1 nanómetro será el límite? si es el límite que haremos?

    • Chulises

      es el limite en los nanometros, de ahi siguen los picometros

    • Rafael

      Había un artículo de la American Scientific que hablaba de ello.
      https://en.wikipedia.org/wiki/5_nanometer
      Si 7 átomos son 4nm, 0.57nm
      http://nanoscale.blogspot.com.es/2015/07/what-do-ibms-7-nm-transistors-mean.html
      Aquí hablan de que 25 átomos son 7nm. Y el límite sería 0.28nm
      Y aquí hablan de que han montado un transistor de 1átomo
      http://www.purdue.edu/newsroom/research/2012/120219KlimeckAtom.html
      Luego dicen que habrá que ir a por los ordenadores cuánticos. Seguramente el límite estará antes de 1 átomo. Una cosa es fabricar en laboratorio un transistor de 1 átomo y otra cosa hacerlo en masa.
      No hay que olvidar los transistores 3d, y procesadores multicapa, que son una evolución importante. Igual que la memoria HBM.

      • fulanodetal

        el limite es 1 atomo? entonces los Bits son mas pequeños que los atomos ? cuantos bits caben en un atomo¿?

        • Rafael

          Se necesitan 6 o 4 transistores (depende del tipo de bit) para hacer 1 bit de memoria SRAM usado dentro de un procesador, como parte de una variable (el número de puntos en un juego).
          https://es.wikipedia.org/wiki/SRAM
          Es cierto que se puede almacenar 1 qubit en un átomo si empezamos a hablar de ordenadores cuánticos, pero no tengo mucha idea.