Globalfoundries ya tiene listo el proceso de fabricación FinFET a 7 nm
GlobalFoundries ha anunciado que ya han comenzado a trabajar con el nuevo proceso de fabricación FinFET a 7 nanómetros, un proceso con altas expectativas pues se espera que ofrezca hasta un 30% más de rendimiento en comparación con la actual generación a 16/14 nm, y en torno al doble de densidad de transistores.
La nueva plataforma está basada en el estándar FinFET con litografía óptica, con compatibilidad EUV a niveles clave. El uso de ésta arquitectura acelerará en gran medida el tiempo de producción, pues una buena parte del trabajo está ya hecho, dado que aprovecharán una buena parte de la instrumentación que hasta ahora utilizaban para fabricar chips a 14 nanómetros (actualmente en su fábrica Fab 8 en Saratoga). GlobalFoundries planea invertir varios miles de millones de dólares en modernizar ésta fábrica para adaptarla al nuevo proceso de fabricación a 7 nanómetros.
Éste nuevo proceso de fabricación está por lo tanto basado en el actual 14LPP, y se posiciona como el mejor candidato actual para permitir a las aplicaciones de próxima generación sacarle al hardware todo el rendimiento posible con el mínimo consumo. Los nuevos chips que se fabriquen con ésta litografía serán, por lo tanto, orientados al mercado de consumo, incluyendo dispositivos móviles, coches autónomos y sí,las próximas generaciones de tarjetas gráficas.
GlobalFoundries ha anunciado también que va a establecer una plataforma completa de propiedad intelectual alrededor de éste nuevo nodo de fabricación, incluyendo circuitos integrados específicos (ASIC). Los primeros chips a 7 nm ya han sido fabricados y enviados a los entornos de prueba de los clientes de GlobalFoundries, y se espera que ésta tecnología entre en fase de producción en masa a mediados del año que viene, con los primeros productos para el consumidor para alrededor de principios de 2018.